英特尔已在亚利桑那州启动18A工艺的生产,并开始向美国客户出货。其首款18A处理器Panther Lake预计年底前发货,该制程将支持英特尔未来三代CPU产品线。英特尔利用背面供电技术(PowerVia)和RibbonFET全环绕栅极(GAA)技术,显著提升了每瓦性能和芯片密度,相较前代工艺可提升15%的单位性能并增加30%的芯片密度。亚利桑那工厂的扩建项目投资巨大,目标产能可观,并因美国“芯片关税政策”而成为关键选择。英特尔在先进封装方面也持续投入,布局Foveros和EMIB技术。
💡 **18A工艺实现量产与出货**:英特尔已在亚利桑那州实现18A工艺的量产,并已向部分美国客户进行了小批量出货。这意味着其下一代先进制造技术已进入实际生产阶段,为后续产品铺平了道路。首批搭载18A工艺的英特尔自家CPU预计在第四季度问世,标志着公司在尖端芯片制造领域取得了重要进展。
🚀 **Panther Lake处理器与技术优势**:英特尔将在10月9日的技术巡展上首次公开展示其自主研发的18A处理器——Panther Lake。这款AI PC芯片预计年底前可发货,并将成为英特尔未来三代CPU产品线的基础。18A制程的核心创新在于其背面供电技术(PowerVia)和RibbonFET全环绕栅极(GAA)技术,这不仅减少了布线拥堵,还显著提升了主频性能和芯片密度,据称相较前代工艺可提升15%的单位性能和30%的芯片密度。
💰 **亚利桑那工厂的战略意义与产能规划**:英特尔的亚利桑那工厂,特别是Fab 52和Fab 62,是其320亿美元扩建项目的一部分,已成为美国首个实现2纳米级量产的生产基地。该工厂的产能规划显示出雄心勃勃的目标,Fab 52预计年底前月产能可达1000至5000片晶圆,并计划在2026年进一步提升至15000片,最终设计产能目标为30000片。在当前美国“芯片关税政策”的背景下,该工厂正日益成为芯片制造商的关键选择方案。
📦 **先进封装技术的双轨并行**:除了先进的制造工艺,英特尔还在先进封装技术方面大力投入。其主要技术路线包括Foveros(三维堆叠)和EMIB(嵌入式多芯片互连桥)。EMIB技术通过在芯片边缘嵌入硅桥实现互连,相比大面积的CoWoS方案,在灵活性和成本控制方面展现出明显优势,为构建更高效、更集成化的芯片系统提供了可能。
TrendForce援引《工商时报》的消息称,英特尔已在亚利桑那州启动18A工艺的生产,并于第三季度开始向美国客户有限量出货,18A晶圆已经投产,英特尔首批自家CPU预计在第四季度问世。
英特尔将在10月9日的技术巡展期间首次公开展示旗下首款自主研发的18A处理器——Panther Lake。《经济日报》指出,Panther Lake AI PC芯片预计年底前可发货,18A制程将支持英特尔接下来三代CPU产品线。
英特尔成为全球首家将背面供电技术推向市场的代工厂商,其亚利桑那工厂也成为美国首个实现2纳米级量产的生产基地。亚利桑那扩建项目包括Fab 52和Fab 62,投资总额高达320亿美元,自2021年启动。Fab 52单厂年底前月产能预计可达1000至5000片晶圆,2026年进一步提升至15000片,最终设计产能目标为30000片。业内人士称,随着美国相关“芯片关税政策”的推进,英特尔亚利桑那工厂逐渐成为芯片制造商的关键选择方案。
虽然18A制程在晶体管密度方面尚有提升空间,但其背面供电显著减少布线拥堵并提升主频性能,受到全球科技巨头关注。英特尔表示,18A是自2011年将FinFET引入大规模量产以来最大的晶体管创新,结合了全新PowerVia背面供电和RibbonFET全环绕栅极(GAA)技术,大幅提升每瓦性能和芯片密度。相比前代工艺,18A据称可提升15%的单位性能并增加30%的芯片密度。
英特尔服务器CPU“Clearwater Forest”也将采用18A工艺,预计于2026年上半年上市,同期公司还将推出下一代Foveros Direct 3D先进封装技术。在先进封装方面,英特尔押注于两大技术路线:Foveros(三维堆叠)和EMIB(嵌入式多芯片互连桥)。EMIB通过在芯片边缘嵌入硅桥实现互连,相较于大面积的CoWoS方案在灵活性和成本上具有明显优势。