英特尔已在亚利桑那州启动18A工艺的生产,并开始向美国客户出货,标志着其在先进芯片制造领域的重大突破。该公司首款自主研发的18A处理器Panther Lake预计在第四季度问世,并将在技术巡展中首次亮相。18A制程采用创新的背面供电技术(PowerVia)和RibbonFET全环绕栅极技术,旨在大幅提升芯片性能和密度,相较前代工艺可提升15%的单位性能和30%的芯片密度。亚利桑那工厂的扩建项目也初见成效,其Fab 52工厂的月产能将逐步提升,并有望成为美国首个实现2纳米级量产的基地。此举也契合了美国“芯片关税政策”的推进,使英特尔的亚利桑那工厂成为关键的制造选择。
🚀 **18A工艺实现量产与出货:** 英特尔已成功在亚利桑那州启动18A工艺的生产,并已开始向美国客户小批量出货。这标志着英特尔在先进半导体制造领域迈出了关键一步,其18A晶圆已正式投产,为后续产品的量产奠定了基础。
💡 **背面供电与RibbonFET技术创新:** 18A制程的核心亮点在于其PowerVia背面供电技术和RibbonFET全环绕栅极(GAA)技术。背面供电能够显著减少布线拥堵,提升主频性能,同时RibbonFET技术也带来了更高的晶体管密度和能效,这是自2011年FinFET以来最大的晶体管创新。
📈 **性能与密度大幅提升:** 相比前代工艺,英特尔宣称18A制程在晶体管密度和性能上均有显著提升,能够实现15%的单位性能提升和30%的芯片密度增加。这将为未来的高性能计算和AI应用提供强大的硬件支持。
🏭 **亚利桑那工厂产能扩张与战略地位:** 英特尔在亚利桑那州的Fab 52和Fab 62工厂的扩建项目正在稳步推进,投资总额高达320亿美元。Fab 52工厂的月产能将逐步提升,并有望成为美国首个实现2纳米级量产的生产基地,其地理位置也使其成为应对美国“芯片关税政策”的战略性选择。
📦 **先进封装技术协同发展:** 除了先进制程,英特尔在先进封装技术上也持续投入,主要包括Foveros(三维堆叠)和EMIB(嵌入式多芯片互连桥)。EMIB技术通过嵌入硅桥实现芯片间的互连,相较于其他方案在灵活性和成本效益上具有优势,能够更好地支持异构集成和多芯片设计。
TrendForce援引《工商时报》的消息称,英特尔已在亚利桑那州启动18A工艺的生产,并于第三季度开始向美国客户有限量出货,18A晶圆已经投产,英特尔首批自家CPU预计在第四季度问世。
英特尔将在10月9日的技术巡展期间首次公开展示旗下首款自主研发的18A处理器——Panther Lake。《经济日报》指出,Panther Lake AI PC芯片预计年底前可发货,18A制程将支持英特尔接下来三代CPU产品线。
英特尔成为全球首家将背面供电技术推向市场的代工厂商,其亚利桑那工厂也成为美国首个实现2纳米级量产的生产基地。亚利桑那扩建项目包括Fab 52和Fab 62,投资总额高达320亿美元,自2021年启动。Fab 52单厂年底前月产能预计可达1000至5000片晶圆,2026年进一步提升至15000片,最终设计产能目标为30000片。业内人士称,随着美国相关“芯片关税政策”的推进,英特尔亚利桑那工厂逐渐成为芯片制造商的关键选择方案。
虽然18A制程在晶体管密度方面尚有提升空间,但其背面供电显著减少布线拥堵并提升主频性能,受到全球科技巨头关注。英特尔表示,18A是自2011年将FinFET引入大规模量产以来最大的晶体管创新,结合了全新PowerVia背面供电和RibbonFET全环绕栅极(GAA)技术,大幅提升每瓦性能和芯片密度。相比前代工艺,18A据称可提升15%的单位性能并增加30%的芯片密度。
英特尔服务器CPU“Clearwater Forest”也将采用18A工艺,预计于2026年上半年上市,同期公司还将推出下一代Foveros Direct 3D先进封装技术。在先进封装方面,英特尔押注于两大技术路线:Foveros(三维堆叠)和EMIB(嵌入式多芯片互连桥)。EMIB通过在芯片边缘嵌入硅桥实现互连,相较于大面积的CoWoS方案在灵活性和成本上具有明显优势。

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