近期DRAM内存市场出现罕见现象，内存颗粒（Die）价格已超越同容量内存条（Module），且价差显著。在惜售情绪和供应量有限的背景下，DDR4和DDR5价格持续上涨，成交量低迷。机构预计短期内模组价格将快速上涨，缩小与颗粒的价差。NAND闪存现货市场也因合约市场强势拉动而升温，价格和报价频率显著增加。中小型买家采购需求旺盛，但现货供应稀缺，持货商普遍看好后市，导致成交量有限但价格持续上扬。机构预期短期内NAND现货市场将维持紧俏，价格上涨动能有望延续至明年一季度。
📉 内存颗粒价格反超内存条：在极度罕见的市场环境下，DRAM内存颗粒（Die）的报价已显著超越相同容量的内存条（Module）。过去七天，DDR4与DDR5价格延续上涨，但由于市场供应量有限，成交量处于低水位。机构预测，短期内现货市场的模组价格将快速上升，以收敛与颗粒间的价差。
🚀 NAND闪存现货市场升温：受合约市场强势推动，NAND闪存晶圆现货市场氛围进一步升温，价格上涨幅度及报价频率均显著增加。中小型买家因难以直接获得原厂货源，采购需求明显增长，但现货供应同样稀缺，持货商普遍看好后市，延后出货，导致成交量有限但价格持续上扬。
📈 价格上涨动能延续与潜在转折：DDR4 1Gx8 3200MT/s颗粒本周价格上涨7.10%，512Gb TLC晶圆现货价格更是上涨17.07%。机构预期短期内NAND现货市场将维持紧俏，价格上行动能有望延续至明年一季度。然而，若合约价涨幅过快或终端需求延后，现货市场的热度可能在2026年初略有降温。
IT之家 11 月 12 日消息，TrendForce 集邦咨询今日表示，在极度罕见的市场环境下，DRAM 内存颗粒 (Die) 的报价已经超越相同容量的内存条（模组，Module）报价，且价差巨大。
过去七天，DRAM 内存市场在惜售心态浓厚的氛围下，DDR4 与 DDR5 的价格延续先前数周的上扬走势，但由于市场中的供应量非常有限，因此成交量处于低水位。
机构预计，未来短期内现货市场的模组价格将快速上升，收敛与颗粒间的价差。主流颗粒 DDR4 1Gx8 3200MT/s 在本周的价格涨幅为 7.10%，由 11.071 美元上涨至 11.857 美元。
▲ 图源：TrendForce而在 NAND 闪存晶圆部分，受合约市场强势拉动，现货市场氛围进一步升温，价格上涨幅度及报价频率均显著增加。由于中小型买家难以直接获得原厂货源，现货市场采购的需求明显增温。然而，现货供应同样相对稀缺，持货商普遍看好后市走势，延后出货、惜售情绪浓厚，导致成交量有限但价格持续上扬。
本周 512Gb TLC 晶圆现货价格上涨 17.07%，单价达 6.455 美元。机构预期短期内现货市场仍将维持紧俏格局，价格上行动能有望延续至明年一季度；但如果合约价涨幅过快或终端需求延后，现货热度可能于 2026 年初略有降温。
▲ 图源：TrendForce
