💡 碳化硅（SiC）衬底正成为AI数据中心电源供应的关键材料，尤其是在交直流转换阶段。其优越的物理特性，如高击穿电场和高迁移率，使其能在更高电压和温度下工作，从而显著降低能耗并改善散热效率。

🚀 AI服务器和数据中心对更高功率供电架构的需求日益增长，促使包括SiC和GaN在内的第三代半导体材料获得更广泛的应用。这些材料能够提升服务器的功率密度，以满足更高端AI运算的要求。

🔗 行业内头部厂商正积极推动SiC/GaN材料在AI数据中心领域的部署。例如，天岳先进的客户英飞凌和安森美已成功进入英伟达等巨头的供应链，成为AI算力基础设施的重要一环。

🌐 三安光电构建了完整的碳化硅产业链，从晶体生长到封装测试，其产品已广泛应用于包括AI及数据中心服务器在内的多个高增长领域，展现了碳化硅技术的广阔应用前景。

机构指出，为支持高功耗高性能AI计算日益增长的需求，碳化硅衬底逐渐被用于AI数据中心电源供应单元的交直流转换阶段，以降低能耗、改进散热解决方案并提升服务器的功率密度，打开了碳化硅产品的应用领域和天花板。

AI服务器功耗高，数据中心需要使用更高功率的供电架构。为了应对更高端的AI运算，服务器供电系统各环节的效能、功率密度需要进一步提高。SiC/GaN等第三代半导体材料具有高击穿电场、高迁移率等特点，允许材料在更高的温度和电压下运行，降低能耗和成本。目前头部厂商正在持续推动SiC/GaN在AI数据中心领域应用。东方证券指出，展望未来，在AI服务器及数据中心的大功率供电需求不断提升的趋势下，SiC/GaN有望得到更广泛的应用。

据财联社主题库显示，相关上市公司中：

天岳先进表示，公司的客户英飞凌、安森美已成功进入英伟达等行业巨头的供应链，成为AI算力基础设施的重要组成部分。

三安光电的碳化硅产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。