SK海力士正加速扩展产能并研发新技术以满足日益增长的芯片需求，特别是在移动及边缘设备上提升AI工作负载的处理能力。公司正开发一种名为高带宽存储（HBS）的新型计算机内存，该技术将移动DRAM和NAND闪存组件合并于同一设备，通过垂直堆叠和独特的垂直导线扇出结构（VFO）实现高效互连，旨在为智能手机等设备上的AI负载提速。与传统技术相比，HBS在封装效率、散热和芯片体积方面具有显著优势，且制造过程更简化、成本更低。该技术预计于2029年至2031年正式发布，有望进一步推动移动端AI性能的提升。

💡 SK海力士正积极研发高带宽存储（HBS）技术，旨在集成移动DRAM和NAND闪存，以应对移动及边缘设备日益增长的AI运算需求。该技术通过将DRAM和NAND组件置于同一设备中，并采用先进的垂直堆叠和VFO结构，实现了层间的高效互连，从而显著提升数据处理速度。

🚀 HBS技术通过其独特的垂直导线扇出结构（VFO）实现了显著的性能提升。相比传统的弯导线连接方式，VFO能够大幅减少层间电子传输的空间需求，从而提高封装效率，改善散热性能，并减小芯片的整体厚度，为移动设备的轻薄化和高性能化提供了可能。

💰 HBS技术在制造和成本方面具有优势。与需要穿硅通孔（TSV）的技术不同，HBS的制造环节更为简化，这不仅有助于提高良品率，还能有效降低生产成本，从而使其在半导体行业具有更广泛的推广潜力，加速新型内存的普及。

🗓️ SK海力士计划在2029年至2031年正式发布HBS技术。尽管目前市场对新一代芯片的需求已导致SK海力士产能紧张，但公司仍致力于通过这项创新技术来推动移动端AI性能的进一步发展，为未来的智能设备带来更强大的AI处理能力。

作为存储芯片领域的领先企业，SK海力士正加快扩展其产能，以满足行业日益上涨的芯片需求。公司近期正筹备全新技术，力图进一步提升移动及边缘设备上的AI工作负载处理能力。

据多家韩国媒体报道，SK海力士正在研发新型计算机内存，以加速本地AI运算。这项名为高带宽存储（HBS）的新技术，是此前高带宽闪存（HBF）方案的拓展，将移动DRAM和NAND闪存组件合并于同一设备，专为智能手机、平板等移动设备的AI负载提速而设计。该芯片最多可垂直堆叠16层DRAM与NAND，通过独特的垂直导线扇出结构（VFO）实现层间互连。

SK海力士早前已在Apple Vision Pro产品中采用VFO DRAM，但HBS技术则进一步整合了NAND闪存。公司2023年发布时强调，VFO不仅提高封装效率，还改善散热和芯片体积缩减。与传统弯导线连接方式相比，VFO可将层间电子传输空间需求减少4.6倍，整体能效提升4.9%，散热提升1.4%，芯片厚度减至传统方案的73%。

与和SanDisk合作开发的HBF技术不同，HBS无需穿硅通孔（TSV），制造环节更简化，良品率更高，生产成本更低，有利于在半导体行业广泛推广。

新型DRAM+NAND堆叠模块将直接与应用处理器（AP）共封装，显著提升智能手机及SoC终端的数据处理速度。SK海力士此次创新，目标是进一步推动移动端AI性能提升。虽然具体表现尚有待实际检验，公司计划于2029年至2031年正式发布该项技术。目前由于2026年新一代芯片销售火爆，SK海力士产能已出现紧张。

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