近期，港股的南方两倍做多三星电子和海力士ETF涨势喜人，这得益于内存需求的强劲增长，推动DRAM价格进入上行周期。瑞银报告指出，2025年第四季度DRAM合同价格谈判进展顺利，预计环比涨幅将超过21%，DRAM供应商占据主导地位。基于此，瑞银上调了SK海力士和三星电子的目标价，并上调了两家公司未来几年的营收和盈利预测。花旗、摩根士丹利等投行也预计DRAM芯片价格将上涨25%-26%。分析师普遍预测，DRAM和NAND Flash市场均出现缺货现象，价格将持续上涨。集邦咨询预测第四季度DRAM价格将上涨18%-28%，NAND Flash合约价也将上涨5%-10%。TechInsights数据显示，第三季度DRAM平均库存大幅下降，市场供应迅速收紧，存储产业正经历超级周期。
📈 内存需求旺盛推高DRAM价格：得益于强劲的市场需求，DRAM价格正进入一个显著的上行周期。瑞银的研究报告显示，DRAM供应商在2025年第四季度的合同价格谈判中占据优势，预计环比涨幅将达到21%或更高，这反映了市场供不应求的现状。
💰 投行上调目标价与盈利预测：多家知名投行，包括瑞银、花旗和摩根士丹利，均对内存芯片制造商表示乐观。瑞银已上调SK海力士和三星电子的目标价，并提升了对其未来几年的营收和盈利预测，这表明市场对其增长前景充满信心。
📉 库存下降与供应紧张：根据TechInsights的数据，第三季度DRAM平均库存已降至8周，远低于去年同期和年初的水平，表明市场供应正在快速吃紧。集邦咨询的预测也印证了这一点，预计第四季度DRAM和NAND Flash价格将全面上涨，进一步凸显了供应受限的局面。
🚀 存储产业迎来超级周期：当前，存储产业正经历一个由需求旺盛和供应受限共同驱动的“超级周期”。这种市场格局促使存储相关股票的估值正在被重新调整，为投资者提供了潜在的投资机会，尤其是在产业链上下游的公司。
11月11日消息， 港股南方两倍做多三星电子 (07747.HK) 、 南方两倍做多海力士 (07709.HK) 双双涨近9%！内存需求火爆，推动DRAM价格进入一个强劲的上行周期。
瑞银近日发布的研究报告中指出，其最新的行业调查显示，2025年第四季度的DDR内存合同价格谈判正以积极势头进行，预计环比涨幅将达到21%或更高。报告明确表示，DRAM供应商显然掌握了上风。
基于强劲的价格前景，瑞银将SK海力士的12个月目标价从64万韩元上调至71万韩元，并维持其「买入」评级，称其为内存领域的「首选」。同时，三星电子的目标价也从11.8万韩元上调至12.8万韩元。瑞银因此上调了两家公司2026年及2027年的营收和盈利预测。
此前，花旗与摩根士丹利等投行已经发出DRAM芯片价格上涨预期，称2025年第四季度DRAM内存芯片的平均价格将上涨25%-26%。多名知名业内分析师预测，DRAM和NAND Flash市场均出现缺货现象，预测今年四季度及2026年行业价格将进一步上涨。
集邦咨询报告也预估，第四季度，一般型DRAM价格将上涨18%至23%，若加计HBM，涨幅将扩大至23%至28%；预估NAND Flash各类产品合约价也将全面上涨，平均涨幅为5%至10%。TechInsights的10月统计数据显示，第三季度DRAM平均库存降至8周，低于去年同期的10周与2023年初的31周，市场供应快速吃紧。
还有哪些公司值得关注？
由于存储产业正经历超级周期，需求旺盛而供应受限，存储相关股票的估值正在重新调整。牛牛也梳理了产业链值得关注的公司，供投资者参考：
编辑/rice
