半岛电视台-新闻 11月10日 17:21
中国芯片技术追赶美国,制造瓶颈仍存
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一份报告指出,中国在先进芯片设计方面进步显著,正迅速缩小与美国的差距,尤其在人工智能领域。尽管华为在芯片设计上已接近美国水平,但受限于微光子印刷等制造能力的薄弱,大规模生产先进芯片仍面临挑战。中国通过数量优势和系统集成能力弥补部分性能差距,并可能通过政策调整和“稀土换硅”等协议影响全球技术竞赛格局。专家认为,美国的芯片霸权虽不会立即消失,但正面临中国日益增长的挑战,未来十年将是关键。

🇨🇳 中国在先进芯片设计领域取得瞩目成就,正迅速缩小与美国的差距,尤其是在人工智能技术方面。报告指出,其设计能力已接近美国水平,显示出系统层面的加速发展。

🏭 尽管设计能力强大,中国在先进芯片制造方面仍面临显著障碍,最突出的是微光子印刷能力的薄弱。这限制了其大规模生产先进硅芯片的能力,如华为即便研发出3纳米芯片也面临生产困境。

⚡️ 在性能方面,中国通过系统集成和芯片数量来弥补与美国领先处理器的差距。例如,华为使用昇腾芯片,虽功耗增加,但通过电价优势和电网扩张得以缓解。

🇺🇸 美国的政策变化,如潜在的芯片出口或“稀土换硅”协议,可能成为全球技术竞赛的转折点。专家认为,美国的芯片霸权正在迅速缩小,未来十年将是决定性时期。

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Alpine Macro在Investing.com引用的一份报告中警告说,“中国在先进芯片行业正迅速缩小与美国的差距”,但其制造业基础设施仍面临重大障碍,最显著的是微光子印刷能力薄弱。

该报告将中国的进步描述为“设计方面令人瞩目,制造方面有限,但系统层面正在加速发展”,这使其逐渐对美国长期的霸权地位构成威胁。

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设计优势与制造能力不足

战略分析师诺亚·拉莫斯断言,“试图预测先进制造技术的突破是一种鲁莽的赌博”,但他指出,这种差距“实际上在人工智能领域正在缩小”。

他还补充说,华为“在芯片设计方面几乎已经达到与中国相同的水平”,但由于“光刻技术的瓶颈”,仍然无法大规模生产先进的硅芯片。

拉莫斯指出,“即使华为研发出3纳米芯片,它也没有能力进行生产”,他认为这种不足减缓了中国的进步,但同时也“让华盛顿对中国人工智能基础设施的发展产生了过度自满的情绪”。

华为克服制造限制,实现设计优势(路透社)

政策变化和优势缩小

报告指出,尽管美国英伟达处理器在能效方面依然领先,但中国在系统集成方面取得了显著进展。华为为了达到相同的性能,部署了五倍数量的昇腾芯片,即便这意味着功耗增加了50%。专家认为,较低的电价和中国电网的扩张弥补了这一差距。

在政治方面,拉莫斯警告说,“特朗普政府的政策可能会改变和解的步伐”,并指出允许向中国出口H2O芯片或双方达成“稀土换硅”协议的可能性,可能构成全球技术竞赛中的“决定性转折点”。

拉莫斯总结道,美国的霸权“不会在本十年末完全消失”,但面对“中国以数量而非质量为导向的战略”,其霸权正在迅速缩小。他强调,“差距确实在缩小,未来十年将决定发展方向。”

来源: 美国媒体

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