三星电子正积极部署10奈米级第六代（1c）DRAM设备，目标在明年初实现HBM4量产，以期追赶竞争对手SK海力士。公司已在平泽园区完成相关设备建置并扩充先进制程产能，目前正进行客户样品验证。尽管1c制程开发进展顺利，但量产良率是关键挑战，目前约为50%，尚待提升至70%以上以达到量产门槛。三星正通过强化后段封装及与韩美半导体合作来克服此问题，此举也与辉达次世代AI加速器Rubin的上市时程相呼应。
🚀 **HBM4量产目标明确：** 三星电子正全力加速导入10奈米级第六代（1c）DRAM设备，并设定了在明年初启动HBM4（High Bandwidth Memory 4）量产的目标，旨在追赶已率先进入量产阶段的竞争对手SK海力士，以巩固其在高性能存储器市场的地位。
💡 **产能布局与客户验证：** 公司已在平泽园区完成1c DRAM设备建置，并在多个厂区积极扩充先进制程产能。目前，三星已完成最终客户样品的内部可靠度测试，并已将样品送交辉达（NVIDIA）进行GPU整合验证，为产品在明年下半年正式出货铺平道路。
⚠️ **良率提升是关键挑战：** 尽管1c制程开发进展稳定，但量产良率是三星当前面临的最大挑战。目前以1c制程生产的HBM4样品良率约为50%，远未达到量产所需的70%以上门槛。多层堆叠结构和较大的晶粒面积是导致良率提升缓慢的主要原因。
🤝 **强化封装与技术合作：** 为克服良率瓶颈，三星正同步强化后段封装流程，并与韩美半导体（Hanmi Semiconductor）展开合作，以期稳定堆叠精度和提升整体制程品质，确保HBM4产品的可靠性和性能。
📈 **市场竞争与未来展望：** 三星的HBM4量产计划与辉达（NVIDIA）明年下半年推出的次世代AI加速器Rubin时程密切呼应。若三星能成功克服良率挑战，有望在高端存储器市场占据更有利的位置，进一步巩固其行业领先地位，但仍需持续在技术创新和产能优化方面发力。
2025-11-05 18:10 广东
三星电子正加速导入10奈米级第六代（1c）DRAM设备，目标在明年初启动HBM4量产
据报道，三星电子正加速导入10奈米级第六代（1c）DRAM设备，目标在明年初启动HBM4量产，以追赶已率先与辉达签署供应合约并进入量产阶段的SK海力士。近期，三星已在平泽园区（Pyeongtaek）完成第二厂（P2）1c DRAM设备建置，并同步于第三厂（P3）与第四厂（P4）导入新设备，积极扩充先进制程产能。预计本月完成最终客户样品的内部可靠度测试（PRA），随后将样品送交辉达进行GPU整合验证。若进展顺利，产品有望于明年下半年正式出货。
三星原先在平泽第二厂（P2）与第三厂（P3）主要生产前一世代DRAM产品，但随着市场需求转向高效能与高频宽应用，公司逐步减产旧制程晶片，并将部分产线改造为最新的1c制程。目前，HBM4的核心生产据点第四厂（P4）预定于明年启动；主晶圆厂PH1已同时运作NAND与1c DRAM产线，PH3自6月起导入新设备，PH4正在建设阶段，PH2则预计在年底或明年初开工。尽管1c制程开发进展稳定，但量产良率仍是三星面临的最大挑战。目前以1c制程生产的HBM4样品良率约为50%，尚未达到量产门槛。由于HBM4采用多层堆叠结构，晶粒面积较前代HBM3E更大，同一晶圆可产生的良品数量相对减少，也使良率提升速度缓慢。三星为此同步强化后段封装流程，并与韩美半导体（Hanmi Semiconductor）展开合作，以稳定堆叠精度与整体制程品质。分析指出，若能将HBM4晶圆良率提高至70%以上，将具备转入量产的条件。业界普遍认为，三星此举与辉达明年下半年推出的次世代AI加速器Rubin时程密切呼应。考量SK海力士已于9月宣布完成HBM4量产体系，三星的设备导入与产线改造已进入最后阶段，但能否在短期内达到稳定良率，仍需观察。此外，据业界消息，三星在平泽园区的产线改造和设备升级工程，不仅体现了其对未来市场需求的前瞻性布局，也显示了其在全球半导体市场竞争中的坚定决心。随着HBM4技术的逐步成熟和量产进程的推进，三星有望在高端存储器市场占据更有利的位置，进一步巩固其行业领先地位。然而，面对良率提升的技术挑战和市场竞争的双重压力，三星仍需在技术创新和产能优化方面持续发力，以确保其在激烈的市场竞争中保持优势。
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