在韩国SK AI峰会上,SK海力士发布了其未来存储技术发展路线图。计划在2030年前后实现各项技术的全新升级,包括DDR6内存和GDDR8显存的研发。DDR6已进入原型设计和验证阶段,起步频率预计达8800MT/s,最高可达17600MT/s。HBM作为AI发展的关键,将快速迭代至HBM4、HBM4E,并规划HBM5、HBM5E。存储领域,PCIe 5.0将实现单盘245TB,并规划PCIe 6.0、7.0,以及UFS 5.0、6.0和400+层堆叠闪存。
💾 **内存与显存升级**:SK海力士计划在2030年前后推出DDR6内存和GDDR8显存。DDR6已处于原型设计验证阶段,预计起步频率为8800MT/s,最高可达17600MT/s,这将显著提升数据传输速度和系统性能。GDDR8的研发也在进行中,尽管目前GDDR7主要由NVIDIA RTX 50系列采用,未来显存技术仍将持续演进。
🚀 **HBM技术加速迭代**:面对AI领域的强劲需求,HBM(高带宽内存)被置于战略重点。SK海力士将迅速推出HBM4和HBM4E,以满足NVIDIA和AMD等加速卡的需求。更长远来看,HBM5和HBM5E也已纳入2030年前后的发展规划,旨在提供更高的带宽和更大的容量,支撑下一代AI计算。
💽 **存储介质的未来展望**:在传统存储领域,PCIe 5.0技术将继续发展,有望实现单盘245TB的容量,主要面向QLC闪存。同时,UFS 5.0标准已制定完成,并规划了PCIe 6.0、7.0以及UFS 6.0的未来迭代。此外,400层以上的堆叠闪存技术也在规划中,预示着存储密度和性能的进一步飞跃。
在韩国举办的SK AI峰会上,SK海力士公布了未来存储计划路线图,作为三大原厂之一自然是相当有话语权的。按照规划,存储的下一个重大节点将在2030年前后,或者说2029-2031年,各项技术标准都会有全新升级。

传统内存方面,DDR6内存、GDDR8显存都在酝酿之中,其中DDR6进展更快,三大厂都已完成原型设计,正在进行验证测试,预计起步频率就高达8800MT/s,最高可能冲到17600MT/s。
GDDR8还早得很,甚至路线图上都只写着“GDDR7-NEXT”,不排除叫GDDR7X之类的。
事实上,GDDR7显存目前只有NVIDIA RTX 50系列在用,AMD都还没上呢。
移动版的LPDDR6最近刚刚公布,接下来自然是LPDDR7,但是并未明确列出。

当然,在AI的强力推动下,HBM才是重中之重,接下来很快就会看到HBM4、HBM4E,NVIDIA、AMD加速卡陆续都会安排上,再往后就是HBM5、HBM5E,也规划在2030年前后。
存储方面,PCIe 5.0正在继续推进,即将做到单盘245TB甚至更大(当然QLC),UFS 5.0也刚刚制定完毕,接下来就要上PCIe 6.0,未来将会看到PCIe 7.0、UFS 6.0,以及400+层堆叠闪存。

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