快科技资讯 前天 15:28
高通联发科旗舰芯片将采用台积电N2P工艺,力争超越苹果
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快科技报道,高通骁龙8 Elite Gen 6和联发科天玑9600处理器计划采用台积电更先进的N2P工艺节点,以在制造工艺上超越苹果。台积电的2nm制程包含N2和优化版N2P。此前有消息称苹果A20系列芯片将采用N2工艺,而高通和联发科则选择“弯道超车”,直接在性能更优的N2P节点上发布下一代旗舰芯片。高通骁龙8 Elite Gen 6已多次传闻采用N2P,并支持LPDDR6和UFS 5.0。此举旨在弥补在核心设计上的差距,因为苹果在自主研发CPU和GPU方面经验丰富,性能能效比一直领先。高通近期才开始自主设计核心,联发科则主要依赖ARM公版设计。

📱 **芯片工艺升级竞赛**:高通的骁龙8 Elite Gen 6和联发科的天玑9600处理器,计划跳过台积电的N2工艺,直接采用其后续优化版本N2P工艺节点。这一策略旨在通过更先进的制造工艺,在与主要竞争对手苹果的较量中占据优势,尤其是在旗舰芯片的性能和能效比方面。

🚀 **“弯道超车”策略**:高通和联发科选择在性能更优的N2P节点上发布下一代旗舰芯片,这被视为一种“弯道超车”的策略。相较于苹果可能率先采用的N2工艺,N2P在性能上被认为更具潜力,这使得两家公司能够在新工艺节点上实现更具竞争力的产品。

💡 **弥补核心设计差距**:选择更先进的制造工艺是高通和联发科为了弥补在芯片核心设计上的差距。苹果凭借长期的自主研发经验,在CPU和GPU核心的性能及能效方面保持领先。高通近期才开始发力自主设计核心,而联发科则更多依赖ARM的公版设计,因此在制造工艺上的领先成为它们追赶的重要途径。

⚙️ **先进技术支持**:传闻中的高通骁龙8 Elite Gen 6不仅将采用N2P工艺,还将支持最新的LPDDR6内存和UFS 5.0存储技术。这些新技术的集成将进一步提升芯片的整体性能,为下一代智能手机和移动设备带来更快的处理速度和更流畅的用户体验。

快科技11月4日消息,据报道,高通的骁龙8 Elite Gen 6和联发科的天玑9600处理器,计划直接采用台积电更先进的N2P工艺节点,力求在制造工艺上超越主要竞争对手苹果。

台积电下一代2nm节点制程拥有N2和其后续优化的N2P两个版本,此前有报道称,苹果的A20和A20 Pro芯片将采用首个版本N2工艺。

而最新消息指出,高通和联发科采取“弯道超车”策略,直接跳过N2,选择在性能更优的N2P节点上发布其下一代旗舰芯片。

高通骁龙8 Elite Gen6已多次传闻将采用N2P工艺,并支持LPDDR6内存和UFS 5.0存储,而联发科则是首次被曝出加入这一阵营。

高通和联发科之所以倾向于采用更先进的N2P工艺,是因为它们希望在制造工艺上获得领先优势,以弥补在核心设计上的差距。

苹果凭借多年在CPU和GPU核心方面的自主研发经验,其芯片性能和能效比一直领先于竞争对手,例如A19 Pro的能效核在功耗不变的情况下,性能提升了29%。

相比之下,高通直到最近才开始搭载完全自主设计的核心,而联发科则主要依赖ARM的公版核心设计。

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