SK海力士在韩国SK AI峰会上发布了未来存储技术路线图，预示着2030年前后将迎来存储领域的重大技术革新。在传统内存方面，DDR6和GDDR8正在开发中，DDR6已完成原型设计，起步频率预计为8800MT/s，最高可达17600MT/s。GDDR8则处于早期规划阶段。移动内存方面，LPDDR7也在规划中。AI驱动下，HBM系列（HBM4、HBM4E、HBM5、HBM5E）成为重点，预计2030年前后实现迭代。存储方面，PCIe 5.0将继续发展，同时规划了PCIe 6.0、PCIe 7.0，以及UFS 5.0、UFS 6.0和400层以上堆叠闪存。

🚀 **内存技术升级加速**: SK海力士规划在2030年前后实现DDR6和GDDR8等新一代内存技术的突破。DDR6已完成原型设计，起步频率高达8800MT/s，最高可达17600MT/s，预示着内存带宽和性能的显著提升。

🧠 **AI驱动HBM发展**: HBM系列（HBM4、HBM4E、HBM5、HBM5E）被视为重中之重，以满足AI日益增长的数据处理需求。这些高性能内存解决方案将陆续推出，为AI加速卡提供强大支持。

💾 **存储介质持续革新**: 存储技术也在不断演进，包括PCIe 5.0的进一步推进，以及未来PCIe 6.0、PCIe 7.0的规划。同时，UFS 5.0已制定完毕，并计划推出UFS 6.0，以及实现400层以上的堆叠闪存技术，以提供更大容量和更快的传输速度。

快科技11月4日消息，在韩国举办的SK AI峰会上，SK海力士公布了未来存储计划路线图，作为三大原厂之一自然是相当有话语权的。

按照规划，存储的下一个重大节点将在2030年前后，或者说2029-2031年，各项技术标准都会有全新升级。

传统内存方面，DDR6内存、GDDR8显存都在酝酿之中，其中DDR6进展更快，三大厂都已完成原型设计，正在进行验证测试，预计起步频率就高达8800MT/s，最高可能冲到17600MT/s。

GDDR8还早得很，甚至路线图上都只写着“GDDR7-NEXT”，不排除叫GDDR7X之类的。

事实上，GDDR7显存目前只有NVIDIA RTX 50系列在用，AMD都还没上呢。

移动版的LPDDR6最近刚刚公布，接下来自然是LPDDR7，但是并未明确列出。

当然，在AI的强力推动下，HBM才是重中之重，接下来很快就会看到HBM4、HBM4E，NVIDIA、AMD加速卡陆续都会安排上，再往后就是HBM5、HBM5E，也规划在2030年前后。

存储方面，PCIe 5.0正在继续推进，即将做到单盘245TB甚至更大(当然QLC)，UFS 5.0也刚刚制定完毕，接下来就要上PCIe 6.0，未来将会看到PCIe 7.0、UFS 6.0，以及400+层堆叠闪存。