存储技术正迎来新一轮的飞跃，PCIe 7.0规范已确定，预计2029年将问世，为SSD硬盘带来前所未有的速度。SK海力士公布的路线图显示，2029年至2031年将是全新技术的爆发期。HBM方面将迎来HBM5及HBM5e，并强调定制化版本的重要性。内存领域，GDDR7、DDR6以及3D RAM将成为焦点。尤其值得关注的是闪存技术，届时将量产400层以上闪存，并结合PCIe 7.0技术，有望实现1000TB以上的PB级SSD，其PCIe 7.0 x4接口速度可达128GB/s，远超当前DDR5内存带宽，预示着存储性能的巨大提升。

🚀 **PCIe 7.0标准与SSD的未来：** PCIe 7.0规范已正式确定，预计将在2029年开始应用于SSD硬盘。这将是存储接口技术的一次重大升级，其PCIe 7.0 x4接口理论速度可达128GB/s（单向64GB/s），远超当前DDR5-6400内存的带宽，为下一代高性能存储解决方案奠定基础，极大提升数据传输效率。

💡 **闪存层数突破400层，容量性能双飞跃：** 当前主流的闪存技术量产层数在200层左右，部分已达到230-260+层。未来两年内，300+层闪存将成为常态，并预计在2029年实现400层以上闪存的量产。这一技术的进步将显著提升闪存的密度和性能，为实现1000TB以上的PB级SSD成为可能。

🧠 **HBM与内存技术演进，满足AI算力需求：** SK海力士的路线图预示，2029年之后将推出HBM5及HBM5e，同时强调了定制化HBM的重要性，这与华为昇腾AI芯片的定制化内存策略一致，表明厂商正积极响应AI算力对高性能内存的需求。此外，GDDR7、DDR6内存以及3D RAM等新技术也将进入视野，为未来的计算设备提供更强大的内存支持。

快科技11月3日消息，PCIe规范极速狂飙，最新的已经到了PCIe 8.0了，不过还在草案中，已确定规范的还是PCIe 7.0，这一代的SSD硬盘会在2029年问世。

SK海力士在日前的一次大会上公布了存储芯片的路线图，26到28年不论HBM还是DDR、LPDDR，亦或者是NAND闪存都是现有标准的扩展，但2029年到2031年会有一大波全新技术的产品问世。

HBM方面，29年之后会有HBM5及HBM5e，SK海力士还特别提到了自定义的版本，这也是厂商的共识，未来会在标准版基础上推定制版HBM，华为前不久公布的昇腾950到980的AI芯片所用的HBM内存其实也是这个路线，自己定制的，只不过工艺可能没有三星、SK海力士的先进。

内存方面，29年之后会有GDDR7下一代的产品，还有DDR6内存，3D RAM也会进入视野。

真正让人眼前一亮的还得是闪存方面，29年就会有PCIe 7.0技术的硬盘了，SK海力士还提到了eSSD企业级及cSSD消费级两个领域，不过后者更可能是在31年问世。

闪存的层数也会提升到400层以上，目前各大厂商量产的主力还是200层左右的，部分能做到230-260+层，未来两年应该会是300+层的量产时代。

400+闪存及PCIe 7.0的加入，会让当时的SSD容量及性能再上一个台阶，比如1000TB以上的PB级SSD，PCIe 7.0 x4的性能可达128GB/s，单向也有64GB/s，比当前DDR5-6400内存带宽还快，速度起飞。

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责任编辑：宪瑞

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