SK海力士在年度AI峰会上发布了其存储技术路线图。近期（2026-2028年），将推出16层堆叠的HBM4内存，并从HBM4E开始提供定制化HBM解决方案，同时通用DRAM将升级至LPDDR5R和LPDDR6，NAND方面则迎来PCIe Gen6 SSD和UFS 6.0。中期（2029-2031年），SK海力士将全面进入HBM5(E)时代，并推出下一代GDDR、DDR6以及3D DRAM，NAND将实现400+层堆叠，并有PCIe Gen7 SSD和UFS 6.0。定制HBM将把协议和控制器集成到基础裸片，为计算单元腾出更多空间并降低功耗。SK海力士还规划了AI时代的DRAM三大发展方向：AI-D O（低功耗高性能）、AI-D B（集成计算能力）和AI-D E（扩展应用领域）。
📈 **HBM及定制化解决方案发展**：SK海力士计划在2026-2028年推出16层堆叠的HBM4内存，并从HBM4E开始提供定制化HBM解决方案。中期（2029-2031年）将全面进入HBM5(E)时代。定制HBM的一大创新是将协议和控制器等部分集成到HBM的基础裸片（Base Die）中，为计算单元腾出更多空间，并降低数据接口的能耗。
💡 **通用DRAM与NAND技术演进**：在通用DRAM方面，SK海力士将提供LPDDR5R及LPDDR6，并在中期推出下一代GDDR、DDR6以及具备重大晶体管结构变化的3D DRAM。NAND存储方面，近期将迎来PCIe Gen6企业级与客户端SSD以及UFS 6.0，中期则将实现400+层堆叠NAND，并推出PCIe Gen7 SSD和UFS 6.0。
🚀 **AI时代DRAM的三大发展方向**：SK海力士为AI时代的DRAM内存规划了三个主要发展方向：AI-D O（旨在通过低功耗高性能降低总体拥有成本TCO）、AI-D B（通过集成计算能力来跨越内存墙）、以及AI-D E（以扩展应用领域为目标）。
IT之家 11 月 4 日消息，SK 集团本年度的 AI 峰会正在韩国首尔举行，在昨日的主题演讲中，SK 海力士社长郭鲁正公布了该企业的存储路线图：
在 2026~2028 年的近期，SK 海力士将推出 16 层堆叠的 HBM4 内存，并从 HBM4E 开始供应定制化 HBM 解决方案；通用 DRAM 部分则将提供 LPDDR5R、标准与集成计算功能的 LPDDR6；至于 NAND 部分则将见到 PCIe Gen6 企业级与客户端固态硬盘和 UFS 6.0 的诞生。
对于 2029~2031 年的中期，SK 海力士则将全面进入 HBM5 (E) 世代；通用 DRAM 领域下一代 GDDR、DDR6 以及晶体管结构上发生重大变化的 3D DRAM 都将面世；至于 NAND 部分，400+ 层堆叠 NAND、PCIe Gen7 SSD、UFS 6.0 都将到来。
在 SK 海力士的设想中，定制 HBM 的一大变化是将协议及其它、控制器等部分从 XPU 芯片移至 HBM 的基础裸片 (Base Die) 中，为计算单元挪出更多空间，并降低数据接口方面的能耗。
SK 海力士为 AI 时代的 DRAM 内存划出了三大发展方向：以低功耗高性能降低 TCO 的 AI-D O、集成计算能力跨越内存墙的 AI-D B、扩展应用领域的 AI-D E。
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