芯片说 IC TIME 10月30日 19:42
三星电子存储器业务强势复苏,HBM竞争力恢复
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三星电子在第三季度实现了强劲复苏,营业利润达到7万亿韩元,其中半导体事业部贡献显著。存储器业务更是创下季度销售额新高,这主要归功于其在高带宽存储器(HBM)领域竞争力的恢复。随着全球对人工智能基础设施的投资不断增加,存储器市场迎来超级周期,三星电子不仅在HBM领域取得进展,还向NVIDIA等主要客户供应HBM3E产品,并已向客户交付HBM4样品。通用DRAM价格的上涨也进一步提振了三星电子的业绩,使其重新夺回全球存储半导体销售额的榜首位置。公司预计第四季度DRAM价格将继续上涨,并在明年实现盈利的突破性增长。

🌟 **存储器业务创历史新高,HBM竞争力显著恢复**:三星电子第三季度存储器事业部实现了有史以来最高的季度营收,这主要得益于HBM3E销量的增长以及DDR5和服务器SSD的强劲需求。公司已开始向NVIDIA供应HBM3E产品,并已向客户交付HBM4样品,标志着其HBM业务竞争力的恢复,也为其在AI驱动的存储器市场中赢得了优势。

📈 **通用DRAM价格上涨及市场份额回升**:除了HBM的增长,通用DRAM(DDR4)价格的上涨以及NAND市场因内存短缺出现的价格上涨,都对三星电子的业绩产生了积极影响。凭借在通用内存销售中较高的份额,三星电子成功夺回了全球存储半导体销售额的榜首位置,超越了SK海力士。

🚀 **AI基础设施扩张推动HBM需求,未来增长可期**:全球对人工智能基础设施的投资是推动存储器市场超级周期的主要驱动力。三星电子通过与AMD、博通、亚马逊、谷歌等科技巨头合作,并向OpenAI等大型AI项目供应内存,积极参与到AI生态系统中。市场预测显示,三星电子在HBM4量产后市场份额有望大幅提升,并预计明年将实现创纪录的盈利。

🤝 **晶圆代工业务改善,与特斯拉签订大额合同**:三星电子的器件解决方案(DS)事业部整体业绩提升,部分得益于系统LSI和晶圆代工部门亏损的大幅减少。公司与特斯拉签订了价值高达22.8万亿韩元的晶圆代工供应合同,将在美国工厂生产特斯拉的下一代AI芯片,这将进一步提升代工业务的订单量和盈利能力。

黄凯 2025-10-30 17:35 江苏

10纳米级第六代(1c)DRAM已于去年完成开发,并于今年开始量产。

三星电子半导体事业部宣布强势复苏,今年第三季度营业利润达7万亿韩元。其中,存储器事业部尤其创下季度销售额新高,这主要得益于其在高带宽存储器(HBM)领域竞争力的恢复。

随着全球对人工智能(AI)基础设施的投资推动存储器领域迎来超级周期,不仅HBM,所有产品都将受益,市场对明年业绩的突破性增长充满期待。

◇ 存储器事业部季度销售额创历史新高,HBM竞争力恢复推动业绩增长

三星电子于10月30日宣布,今年第三季度实现销售额86.1万亿韩元,营业利润12.2万亿韩元(610亿元人民币)。

其中,负责半导体业务的器件解决方案(DS)事业部创造了33.1万亿韩元的销售额和7万亿韩元(350亿元人民币)的营业利润。

证券公司估计,三星电子系统半导体事业部的营业亏损约为1万亿韩元,而仅内存业务就创造了约8万亿韩元(400亿元人民币)的营业利润。

HBM业务的低迷和DRAM商品价格的上涨共同推动了业绩的改善。

三星电子在今天发布的财报中表示:“在HBM3E销量增长以及双倍数据速率5(DDR5)和服务器固态硬盘(SSD)强劲需求的推动下,内存业务实现了有史以来最高的季度营收。”

值得注意的是,该公司已开始向NVIDIA供应HBM3E产品。此前,由于性能争议,这些产品一直处于质量测试阶段。此举标志着三星电子HBM业务竞争力的恢复。

三星电子解释说:“HBM3E已面向所有客户量产,我们也已向所有提出要求的客户交付了HBM4样品。”

三星电子也向英伟达的竞争对手AMD供应用于人工智能芯片的12层HBM3E产品。据报道,英伟达的HBM4供应认证也在顺利进行中。

博通、亚马逊和谷歌等科技巨头已宣布正在开发自己的人工智能芯片,并正在拓展其HBM客户群。

人工智能基础设施的扩张推动了对HBM需求的增长,这也导致通用内存供应下降,进而推高了整个内存市场的价格。

9月份,通用DRAM(DDR4)的价格超过了DDR5,出现了逆转。此前表现不佳的NAND市场也因内存短缺而出现价格上涨。

这对三星电子来说是一个显著的利好,与竞争对手相比,三星电子在通用内存销售中所占的份额相对较高。

凭借此举,三星电子成功夺回了全球存储半导体销售额的榜首位置,此前该位置由SK海力士占据。

据市场研究公司Counterpoint Research的数据显示,三星电子今年第三季度营收达194亿美元(约合27.67万亿韩元),较上一季度增长25%,涵盖DRAM和NAND闪存等整体存储市场。

同期,SK海力士的营收增长13%,达到175亿美元(约合24.96万亿韩元)。

三星电子在第二季度首次将存储市场营收冠军宝座拱手让给SK海力士,但仅一个季度便重夺桂冠。

系统LSI和晶圆代工部门超过2万亿韩元的运营亏损大幅减少,也促进了DS部门整体业绩的提升。

证券机构估计,三星电子第三季度系统半导体业务亏损收窄至约1万亿韩元。

三星电子表示:“代工部门专注于先进工艺,实现了季度订单量新高。一次性成本的下降和生产线利用率的提高,使得业绩较上一季度显著提升。”

三星电子近期开始量产其自主研发的移动应用处理器(AP,即智能手机的核心芯片)Exynos 2600,该处理器采用2nm工艺,并已确认将搭载于计划于明年初发布的Galaxy S6系列手机中。

预计这将带来三重效益:系统LSI部门销售额增长、代工工厂利用率提高以及智能手机部门成本降低。

◇ 第四季度标准DRAM价格预计上涨23%……HBM4市场份额有望扩大

市场预测显示,三星电子将搭上第四季度真正开始的内存超级周期的顺风车,并在明年实现创纪录的盈利。

一些证券公司预计,三星电子明年的年度营业利润将在60万亿韩元至80万亿韩元之间,使其成为内存繁荣的最大受益者。

三星电子通过加入大型科技公司主导的人工智能基础设施投资生态系统,表明其HBM业务正在复苏。

该公司近期同意向OpenAI价值700万亿韩元的大型人工智能项目Stargate供应大量高性能、低功耗内存。

三星电子的主要HBM合作伙伴AMD已与OpenAI签署了大规模图形处理器(GPU)供应协议,预计将推动HBM出货量的增长。

Counterpoint Research预测,三星电子今年第二季度在全球HBM市场排名第三,市场份额为17%,明年在HBM4量产的推动下,市场份额将达到约30%。

随着HBM需求增长引发DRAM整体价格上涨,预计三星电子的盈利能力将进一步提升,并将持续到明年上半年。

10月29日,市场研究公司TrendForce将今年第四季度DRAM整体价格增长预期从8-13%上调至18-23%,并预测这一趋势将持续到明年。

TrendForce分析指出,“预计2026年全球服务器出货量将以每年约4%的速度增长”,并且“由于服务器需求强劲,DDR5合约价格将在2026年全年持续上涨,尤其是在上半年。”

TrendForce预测,“今年第二季度HBM3E与DDR5之间的价格差距是后者的四倍,但这一差距将显著缩小,DDR5的盈利能力将从明年第一季度开始超过HBM3E。”

系统LSI和晶圆代工部门预计将进一步减少亏损。

三星电子与特斯拉签署了一份价值高达22.8万亿韩元(约合195亿美元)的创纪录晶圆代工供应合同,并将于明年起在其位于美国泰勒的工厂生产特斯拉的下一代人工智能芯片A16。此外,三星电子还参与了此前由台积电独家生产的A15芯片的生产,从而获得了额外的订单量。

三星电子的系统LSI部门成功突破了苹果公司为下一代iPhone提供图像传感器的重重阻碍。

业内人士预测,三星电子将为后年即将发布的新款iPhone提供图像传感器。这些下一代图像传感器预计将在三星电子位于德克萨斯州奥斯汀的晶圆代工厂生产。

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