面对市场份额落后，存储巨头三星电子正采取降价策略，以30%的幅度推广其12层HBM3E产品，力图扭转竞争劣势。尽管三星的HBM3E产品直到今年9月才通过英伟达测试并开始供应，出货时间明显晚于SK海力士和美光。在此背景下，三星已于7月传出降价提案。与此同时，高带宽内存（HBM）系列正迎来新一代产品HBM4的研发和量产。三星计划在2025年三星科技展上发布第六代12层HBM4，SK海力士也已完成全球首款HBM4的开发。未来AI芯片架构的升级，特别是英伟达Blackwell Ultra AI芯片将采用HBM4，预示着HBM4的重要性。尽管HBM3E价格战可能不会影响DRAM等传统存储芯片，但HBM4的单价预计将显著高于HBM3E，且HBM市场整体盈利能力依然可观。

🔹 三星电子为抢占市场份额，针对12层HBM3E产品推出高达30%的降价策略。此举旨在弥补其产品良率爬坡速度缓慢导致的市场落后，其12层HBM3E产品直至今年9月才通过英伟达测试并开始供应，出货时间明显晚于竞争对手SK海力士和美光。

💡 存储行业正加速向下一代高带宽内存（HBM）产品迭代。三星计划在2025年三星科技展上发布第六代12层HBM4，而SK海力士已宣布完成全球首款HBM4的开发并做好量产准备，预示着HBM4将成为未来AI芯片的关键组成部分，尤其是在英伟达等巨头升级AI芯片架构的趋势下。

💰 尽管三星正进行HBM3E的价格战，但预计对DRAM等传统存储芯片价格影响有限。TrendForce预测，2025年HBM的平均销售单价将同比上涨20.8%，其中HBM4的单价预计比HBM3e高出60%以上，显示出HBM市场长期可观的盈利潜力。同时，传统DRAM和NAND闪存产品价格在AI需求驱动下，预计将在今年第四季度迎来高达30%的上调。

《科创板日报》10月28日讯 据Digitimes报道，存储龙头三星电子将针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场。

“价格战”背后的逻辑是三星产品良率爬坡速度缓慢导致的市场份额落后。直到今年9月，三星12层HBM3E产品才通过英伟达测试，并正式开始供应，预计今年第四季度出货量将达到数万片。

三星HBM3E出货时间仍然明显落后于SK海力士、美光等存储厂商。公开资料显示，早在2024年，SK海力士便已通过良率测试，并确定向英伟达供应HBM3E产品，今年上半年更是实现了16层HBM3E的量产供货；另有消息称，今年6月，美光HBM3E的良率已提高至70%以上，且预计出货量超过8层HBM3E。

在良率与市场份额明显落后的局面下，三星于今年7月被传出将针对部分客户提出HBM3E的降价提案，以促成商用合作。彼时的三星提醒，HBM3E的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生变化。短期内市场价格也可能受到影响。

不过，就产品迭代趋势而言，HBM3E仅仅是高带宽内存系列中的第五代产品。站在当下时点，高带宽内存系列第六代产品——HBM4或即将全面推出。

本月消息称，三星正在加紧推进HBM4的研发，其计划于10月27日至31日在2025年三星科技展上发布第六代12层HBM4，并计划于今年晚些时候量产。其他存储厂商方面，今年9月，SK海力士表示已完成全球首款HBM4的开发工作，已为量产做好准备。

在HBM4全面接棒老款产品的背后，是英伟达等科技巨头对AI芯片架构的全面升级。早在去年，黄仁勋就预告推出Blackwell Ultra AI芯片，且将采用HBM4内存。

而据TrendForce集邦咨询最新调查，近期英伟达积极要求Vera Rubin server rack的关键零组件供应商提高产品规格，包括HBM4的Speed per Pin须调升至10Gbps。值此背景，预计SK海力士在HBM4量产初期将维持其最大供应商的优势。

从价格趋势来看，TrendForce预测，2025年HBM的平均销售单价将同比上涨20.8%，达到1.80美元/Gb，盈利能力可观。另有机构预计明年上市的12层HBM4产品单价将达到500美元，比售价约300美元的12层HBM3e高出60%以上。

目前来看，三星发动的HBM价格战，传导到DRAM等传统存储芯片的概率较低。根据此前韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计，若DRAM当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能将超越HBM。据其估算，三星7-9月期间标准DRAM业务运营利润率约为40%，HBM业务则达60%。

另据日前消息，三星电子、SK海力士等存储厂商将在今年第四季度针对传统内存继续向客户调整报价，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%，从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。