三星电子为抢占市场份额，对英伟达的HBM3E产品采取了30%的降价策略，此举旨在弥补其在产品推出节奏上落后于竞争对手的劣势。尽管此次降价会影响HBM产品的毛利率，但对其他存储产品的供需逻辑及AI需求增长的整体趋势影响不大。未来，HBM市场预计将出现价格下行，但DRAM和NAND市场因AI和终端需求的增加，价格仍将保持上涨趋势。文章还详细梳理了HBM产业链，包括SK海力士、美光和三星在产能、良率和封装方面的竞争策略，以及HBM价格和良率对厂商盈利能力的影响，并分析了HBM和传统DRAM市场的竞争格局演变。

📈 **HBM市场价格调整与AI需求驱动**: 三星电子为争夺英伟达的HBM3E市场份额，采取了显著的降价策略，主要原因是其产品推出进度落后于SK海力士和美光。尽管如此，文章强调AI对存储市场的整体需求增长逻辑依然强劲，预计DRAM和NAND价格将继续上涨，尤其是在2025年第一季度和第二季度，涨幅预期显著。这表明市场正经历短期价格竞争与长期需求增长并存的局面。

🏭 **HBM产业链竞争格局与技术挑战**: 全球HBM供应主要由美光、SK海力士和三星三巨头主导。SK海力士在HBM3E技术上率先实现12层堆叠并采用MR-MUF技术，目前市场份额领先。美光作为追赶者，已实现HBM3E量产爬坡。三星在HBM4量产方面略显延迟，其12层HBM良率是当前面临的主要挑战。此外，先进封装技术（如台积电的CoWoS）的产能瓶颈也是制约HBM供应的关键因素，未来面板级扇出封装（FOPLP）可能成为新的解决方案。

💰 **HBM价格与良率对厂商盈利的影响**: HBM产品的高单价（ASP）和良率直接影响厂商的收入和利润。HBM的价值量远高于传统DRAM，其ASP波动对SK海力士这类HBM业务占比高的公司影响尤为显著。良率的提升能够显著降低单位成本，增加毛利润率。三星目前12层HBM的较低良率是其成本居高和量产延迟的原因之一。厂商高度重视良率爬坡，并通过优化产品组合和合同价格来平滑财务波动。

🌐 **市场份额演变与竞争策略差异**: HBM市场正从SK海力士和三星两强格局演变为三足鼎立，美光市场份额快速提升，预计到2025年底可达23%左右。SK海力士仍居首位，美光位居第二，三星第三。这种竞争格局的变化增加了GPU客户的选择灵活性，可能导致未来价格竞争加剧。各厂商的竞争策略也各有侧重：SK海力士激进押注AI存储，三星策略稳健多元化，美光则凭借后发优势快速追赶，成功切入主要客户供应链。

2025-10-27 23:59 广东

今日存储龙头三星电子已推出30%的降价策略，希望抢占市场。

据我们了解，三星本次hbm降价仅限对英伟达的hbm3e（12层)产品，主要系该产品三星推出节奏（25年四季度nv出货）落后于友商（海力士、美光）3-4个季度，目的旨在大客户层面抢占市占率。本次降价在一定程度上，会影响hbm产品的毛利率水平，不影响其他产品的供需逻辑，存储市场AI需求成长逻辑依旧。

我们此前从产业了解到的信息是，三星海力士美光明年依然在HBM上有扩产预期，整体在15w片/月，预计明年整体在47.6w片，对应下游GPU量级在1800w～1900w张，未来或将有降价可能预计降幅在5～10%，而HBM降价不会影响Dram和Nand在此轮行情中的涨价趋势。

随着AI时代tokens消耗量增加和端侧需求的增加，我们预计存储行业涨价继续，参考1024产业最新行情数据：明年Q1 dram价格涨幅预计在17～18%（原6～7%），Nand预计在16%（原5%）；Q2 Dram和NAND 预计在20%（原预计看端侧）。

【HBM产业链全梳理】

1、供给端

从供给侧来讲，全球HBM的供应商目前还是在美光、SK海力士和三星这三大全球龙头存储厂商手里。 供给侧分析HBM时需关注产能、良率和封装这三个要素的彼此联动，共同支撑产品良率和整体供给。

1）产能规划

- SK海力士： SK海力士和三星是上一个阶段HBM（一代和二代）的传统领导者。从目前的市场份额来看，SK海力士在去年（2024年）率先在三大家中量产了HBM3代和改进型HBM3E的产品，并采取了积极的扩张战略。今年（2025年）全年HBM的量预计比去年翻倍。从晶圆出货的角度来看，目前在规划的产能包括韩国本土的ME5X新工厂，预计今年年底投产，首批出货就包括HBM在内的先进存储。目前还有一个即将扩产的厂区在龙安园区（也是韩国本土），预计后年（2027年）启用。

- 美光科技： 美光科技作为美股的半导体上市公司，属于快速的后发追赶者。美光传统的主营业务既有DRAM类产品，也有NAND类产品。它从NAND转产HBM并大举投入产能其实是去年（2024年）开始的，之前都是小规模市场。以公司口径来看，2025年全年的HBM产能也被数据中心客户订购一空。目前美光主要在扩后道的封装和测试产能，并计划在后年（2027年）在新加坡上线更多产线。与此同时，美光在美国本土纽约州雪城附近在进行Mega工厂的新建。从未来长期规划来看，公司也会大举布局HBM相关产线。

- 三星电子： 三星的传统DRAM产能是全球领先的，但在从DRAM转HBM的专用产能上会相对谨慎一些。三星年初的计划是今年年底量产新一代的HBM4，并借此取得更多份额。但从最近两个月的最新迹象来看，三星的HBM4代量产计划会推迟到明年。所以目前三星还是逐渐改良其HBM3和HBM3E的产能。三星因为自身晶圆厂相对较多，会在晶圆厂和封装厂预留产能，后续技术成熟后再快速放量。

2）良率

- HBM核心对良率产生挑战的重要环节是其堆叠高度。HBM配套GPU进行先进封装，与GPU合封（CoWoS等）。HBM通过堆叠单颗芯片并通过TSV（硅通孔）相互连接，堆叠层数的高度决定了总容量。

- SK海力士： 其HBM3E是业界首款能堆叠到12层高度的。SK海力士的技术路线是将DRAM单颗芯片进行厚度减薄，并用TSV进行垂直连接。在每一层堆叠之前，SK海力士的核心技术在于MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill，大规模回流模塑底部填充）技术进行散热。精力削薄、TSV硅通孔直连和MR-MUF填充技术这三个优势在HBM3E这一代产品上得到了较好综合，使得SK海力士在散热能力、HBM性能、稳定性和良率方面，目前在三家HBM3E产品中做得最好，市场份额也最高。

- 美光科技： 美光去年开始发力，今年上半年实现了HBM3E产品的量产爬坡，重点也是在做12层堆叠的产品。从公司披露的技术路线来看，虽然没有海力士详细，但能通过短时间解决高堆叠良率问题，证明其找到了稳定的技术路线，良率目前不错。

- 三星电子： 市场对三星的HBM良率一直有一些质疑。HBM的原料来自DRAM改良版本。其12层工艺HBM在七月份内部测试良率只有65%左右（综合良率），导致其12层产品良率相对前两家稍低。HBM4量产计划迫在眉睫，延迟可能与此相关。从良率爬坡方面，三星暂时落后于SK和美光。三星目前主力产品HBM3和HBM3E主要是8层堆叠，容量也稍小（16GB和24GB），而SK海力士和美光已达36GB。三星一直披露九月份能拿到12层量产认证，目前我们在等相关消息。

3）封装

- HBM的良率与其封装工艺高度相关。谁能解决堆叠高度的良率问题和封装工艺问题，谁的出货和供给端就能解决得更好。

- SK海力士采用改进版的填充和模塑工艺（即MR-MUF），解决了十二层堆叠的难题。传统上，台积电的CoWoS一直使用硅中介层（interposer）进行TSV堆叠，做十二层堆叠在行业内也是结构性难题。目前来看，SK的MR-MUF技术在散热和解决翘曲问题上是一个不错的技术路径。

- 当前高性能AI芯片主要采用台积电的CoWoS封装（将芯片和HBM集成）。但台积电CoWoS工艺产线复杂，交期产能有限，从去年以来一直是制约先进封装的瓶颈。2023年CoWoS产线只有1.5万片，预计今年底能达到5万片（目标应能达到），但这样的规模仍无法完全满足NVIDIA和AMD等AI硬件厂商的需求。后续需关注台积电CoWoS产线能否继续扩产。

- 最近还有一代技术路线存在争议，未来在AI GPU中可能引入面板级扇出封装工艺（FOPLP）。面板级封装传统上比晶圆级封装密度更小（更糙），但有可能解决大面积AI芯片（600平方毫米以上）的封装问题，我们拭目以待。

2、价格敏感性

我们通过产品单价（ASP）和工艺良率这两个决定HBM产品最重要的财务敏感性因素，分析对公司收入和利润的影响。HBM作为半导体存储中目前最高价值的高端产品，其单价和良率直接影响三星、美光、SK海力士的收入和毛利。

1）ASP敏感性分析：

- HBM在各大厂商DRAM业务中的收入占比日益提高。过去三年，由于高端HBM出货占比提升，直接拉高了这几家的收入。从单晶圆价值量看，HBM的价值量大约是传统DRAM晶圆价值量的四倍（去年全网公开口径）。

- 像美光这种后来发力者，因其HBM出货快速放量，到2025年中期（6、7月份），其HBM占总业务收入已占到20%（美光收入结构中大多数贡献来自DRAM，HBM在其中快速上量）。我们预计到Q3财季（对应自然年），按出货比例，全年美光HBM收入能达到60亿美元，后续可能持续爬坡。

- SK海力士的策略更激进，业务聚焦在AI存储，其HBM在DRAM营收占比比美光更高。今年二季度（Q2），其HBM营收占比甚至能接近一半以上，甚至到接近70%。因此，ASP提价或降价对各家的营收贡献影响不同。

以美光为例（HBM占比约20%），ASP上调10%，其总营收贡献约增长2%。
对SK海力士（占比高），ASP涨价10%，可能直接带动整个企业收入利润增长7%-8%。

- 毛利润方面： 假设HBM在三大厂商的毛利润率在40%-50%区间（比传统DRAM略高）。ASP提高10%，不仅增加收入，还直接扩大单价与单成本的差额，HBM业务的毛利润率会提升几个百分点，对公司综合毛利率有正向拉动。反之，ASP下降10%会侵蚀公司毛利润率和净利润率。

综合来看， 价格波动和毛利率波动对SK海力士的影响最大，其次是美光，第三是三星（基于业务占比）。

2）良率敏感性分析：

- 假设HBM良率在三个百分点左右波动（如从90%提高到93%，或下降到87%）。

- 良率变动主要影响单位成本，间接影响毛利润率。良率提升意味着在晶圆厂投入中可产出更多合格晶圆和芯片，摊薄晶圆出货成本。如果良品率提高3%，废品率相应减少，单位成本测算能节约约3.3%，相当于额外毛利润率提高几个点。反之，良率下降3%意味着单位成本上升，直接侵蚀利润率。

- 三星目前先进HBM工艺（12层）综合良率在65%左右，这也是导致其成本居高不下、不得不推迟量产计划的原因（若大量出货低良率产品，收入结构受不了）。

- 由此可见存储厂商高度重视良率爬坡的原因。同时，在供需吃紧时，厂商会优化产品组合和合同价格，以平滑工艺对财务模型的冲击。

3、竞争格局

虽然HBM主要由三星、美光、SK海力士三大家主导，但他们的市场份额近两年发生了较大变化。

1）市场份额演变：

- 自HBM市场2018年开始大规模放量以来，过去几年（尤其在2022/2023年以前）主要由SK海力士和三星两家瓜分（约90%份额），美光当时是个位数占比。

- 随着去年到今年美光的全面押注和追赶，全球HBM竞争格局发生动态变化。根据TrendForce数据和我们分析调研，预计到2025年底，美光在HBM市场份额占比应达23%左右，追平其在整体DRAM市场的份额。与此同时，SK海力士和三星受到一定压缩，预计SK海力士年底全球HBM份额约40%，三星更低约30%不到。HBM领域正从两强格局演化为三足鼎立格局：排名第一仍是SK海力士，第二是美光，第三是三星。

- 对于GPU客户（如NVIDIA、AMD），HBM与GPU高度绑定。供应商越多，能提供的保障和议价灵活性越强，对市场是好事。这可能导致后续在价格端出现一些竞争策略变化。

2）传统DRAM产品格局演变：

- 传统DRAM产品（如DDR5、LPDDR5）也在发生竞争格局演变。

- DDR5主要应用在PC端和服务器端；低功耗LPDDR5传统应用于移动端旗舰手机，现正下沉至中高端手机。

- 同时，低功耗LPDDR5已开始切入AI服务器领域。例如，Grace  Hopper平台（CPU+GPU结合，用于推理端，ARM架构，主打省电节能）的最新方案（如CAMM）用到了美光的LPDDR。可见传统DDR产品应用场景正从PC、服务器及手机领域向AI服务器扩展，尤其是低功耗LPDDR5/LPDDR5X也在进入数据中心。这给厂商提供了更多差异化机会。

- 从2024年开始，DRAM进入新的行业复苏周期。2024年DRAM行业均价受产品结构和价格因素综合上涨约50%，今年至今依然上涨30%以上。HBM产品结构改变和DDR5系列产品渗透是主要推动力。

- 从厂商受益结构看： 

三星在移动端DRAM有传统优势（自身做手机），其LPDDR5X能快速全面导入安卓智能手机，在移动端内存市占率最高。LPDDR5/LPDDR5X放量对三星营收基础有不错贡献。在PC端和服务器端，三星也投入领先产能，在DRAM方面有相对稳固龙头地位。
SK海力士和美光更专注于服务器和高性能DRAM市场（美光出货以DDR5为主）。两者都在提升服务器和内存市场占有率。今年以来DDR5和LPDDR5加速渗透也给了这两家厂商竞争格局的机会。
8月初SK海力士趁DDR5在服务器转换时期，提升了其旧DDR4产品价格（利用新旧规格交替窗口提价获取最大利润，是过去周期常见策略）。长期看，DDR5/LPDDR5在移动端和数据中心渗透会拉长本轮半导体上升周期的景气度。

3）上游供给策略（与GPU厂商）：

- 英伟达、AMD等芯片公司也更倾向于采用多家HBM供应商（一供、二供），以降低供货风险和提高议价能力。

- 历史上，英伟达在HBM2/2E时代主要采购三星、SK海力士产品。进入HBM3时代，英伟达率先大量采用SK海力士产品（因其当时HBM3较好）。

- 过去一年（2025年初），三星也在全力改进其HBM3E并通过认证，同时与美光合作紧密。美光透露已出货给主要四家算力大客户。三星也在全力推动其HBM3E产品认证和出货，以达到供给端平衡。

- 综合竞争格局判断： 目前仍处于供给端决定供需格局的情况。但到明年，HBM定价权可能逐渐从供给方转向买方（因竞争加剧和供应宽松），可能导致ASP下行，厂商利润承压。

4）三大厂商竞争策略差异：

- SK海力士： 重度押注AI相关内存，每代资本开支率先抢先研发新一代高堆叠产品，抢在早期给NVIDIA/AMD供货。若商业化成功，短期收益丰厚。但未来业务高度集中在HBM后，一旦市场供需反转，业绩波动风险较大。若2026年下半年出现潜在产能过剩，可能率先对SK盈利构成挑战。若SK市占率因美光、三星拿到更多订单而降低，其保持技术领先的压力会更大。

- 三星电子： 传统半导体龙头（存储上涨时全球半导体收入第一，存储下降时排第三第四）。策略相对稳健和多元化。虽然在HBM领域不如SK快，但凭借整体DRAM市场份额居前，有财务和研发韧性。三星也在投入面板级封装研发（针对未来600平方毫米以上大尺寸AI芯片）。只要三星能解决HBM4工艺问题，未来出货量不容小觑。

- 美光科技： 作为老牌（美国唯一主要）DRAM厂商，虽在HBM起步较晚，但凭借后发居上韧性，连续在HBM3E（8层和12层）产品实现切入，成功打入全球主要四家供应商（包括CPU巨头和AI芯片巨头）。财务上，2025财年Q3（对应自然年6月）收入已近100亿美元。预计Q3（即将公布财报）和Q4同比，美光收入能达到单季度100亿美元以上，创历史新高。HBM切入给收入和利润端带来极强冲击（股价表现好与此高度绑定）。

阅读原文

跳转微信打开