韩国经济日报报道指出，AI技术正驱动存储行业进入一个可能比以往更持久和强劲的“超级周期”。主要内存供应商如三星电子和SK海力士预计将在2025年第四季度上调DRAM和NAND闪存价格高达30%，以应对AI应用带来的存储芯片需求大幅增长。这一轮涨价由AI驱动的结构性升级、海外大厂大规模锁单以及训练向推理侧的应用过渡等多重因素驱动。NAND闪存方面，企业级eSSD加速替代HDD，QLC SSD可能面临短缺；DRAM则因原厂优先分配产能给服务器和HBM，导致旧制程产品价格显著上涨。尽管有扩产计划，但考虑到AI带来的巨大需求，存储市场预计将持续供不应求，价格上涨趋势有望延续至明年。同时，不同存储厂商采取不同的库存策略以应对市场变化，而美光退出中国数据中心服务器芯片供应，可能使国内存储产业链公司受益。

📈 AI驱动存储需求爆发，预计2025年Q4存储芯片价格将大幅上涨：三星、SK海力士等主要供应商计划上调DRAM和NAND闪存价格高达30%，以应对AI技术带来的存储需求激增，预示存储行业进入超级周期。

💾 NAND闪存和DRAM市场均呈现供应紧张态势：企业级SSD加速替代HDD，QLC SSD或将出现短缺；DRAM方面，由于原厂优先供应高端服务器和HBM，传统PC和移动端DRAM产能受限，导致价格上涨。

🏭 存储厂商扩产计划旨在应对长期需求，但短期内供不应求局面难改：尽管ASML和LAM等设备商指出AI投资带动存储需求增长，且NAND升级需求将持续，但短期内新增产能有限，难以快速弥补AI带来的巨大需求缺口。

🤝 不同的库存策略反映了存储厂商的业务模式和战略考量：高库存策略的企业旨在抓住价格上涨机会，并加强与原厂的合作；低库存策略的企业则更注重资金周转效率和快速响应市场需求。

🇨🇳 美光退出中国数据中心市场，国内存储产业链公司有望受益：由于未能通过中国政府的网络安全审查，美光将停止向中国数据中心供应服务器芯片，这为国内如长鑫存储等企业提供了填补市场空白的机会。

2025-10-24 15:00 广东

10月23日韩国经济日报报道，AI 驱动的存储“超级周期”或将比以往的繁荣时期持续时间更长、强度更大。三星电子、SK海力士等主要内存供应商将在2025Q4向客户调整报价，DRAM和NAND闪存价格上调幅度将高达30%，以满足AI驱动的存储芯片需求激增。

1、存储板块股价依然强势

昨日美股：闪迪+14％，希捷+5％，西部数据+4％，美光+4％

海外闪迪美光持续走高背后的本质：一是AI驱动的结构性升级，二是海外大厂对于原厂大规模锁单，三是海外应用端侧等崛起，训练向推理侧过渡；

2、关于涨价：环比提速强化产业叙事

近期25Q4合约价议价在即，原厂释放30%环增预期（企业级产品），保底20%+落地，确保涨价势头环比提速。

- NAND Flash：企业级eSSD加速向HDD渗透，QLC SSD或将缺货。服务器领域，企业正在积极构建 “热数据（HBM）- 温数据（DRAM/SSD）- 冷数据（HDD / 大容量 SSD）” 的分层存储体系。由于AI基建的爆发，传统作为海量数据存储基石的Nearline HDD（近线硬盘）已出现供应短缺，促使高效能、高成本、大容量的QLC SSD出货可能于2026年出现爆发性增长。

- DRAM：全面涨价。由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM，排挤PC、Mobile和Consumer应用的产能，2025Q4旧制程DRAM价格涨幅依旧可观，新世代产品DDR5涨势相对温和。

3、关于扩产：现在提出扩产是beat宏大叙事逻辑而非利空

- 上周ASML：AI投资热度持续上升，带动先进逻辑与DRAM领域的资本投入加速。

- 本周LAM：当前NAND位增长超预期，升级需求将贯穿至2026年，预计未来数年NAND升级投资规模约400亿美元。

根据AYZ和其它第三方估算，2025年GPT-5产生9.13 EB DRAM和200 EB NAND需求。保守假设2026年tokens增长100%和Google等其它大模型需求，存储需求翻倍到18.26 EB DRAM和400 EB NAND。对比行业供给：2026年全球DRAM 42.8 EB和NAND 1,035 EB。GPT-5需求占2026年43%和39%。由于2025H1的token量少，供给短缺从Q3末开始，价格上涨。制造商按传统~20%年增产，会导致严重短缺，形成超级周期，价格上涨可能持续强劲。

4、关于库存：抓住β才是根本

存储板块Q3季报之际，围绕库存的讨论一直持续。市场有部分观点认为，底部屯库存只为了一次性收益；但也有部分观点认为，低库存会影响公司后续的业绩释放。实际上，二者都是片面的。库存之增减，取决于公司的战略规划和业务模式，我们在此解读如下：

1）高库存战略

以德明利为代表的企业，选择在周期底部囤货+帮原厂消化产能，雪中送炭，可以促进和原厂的战略合作。后续也有望向虚拟IDM转型。

此外，底部屯多库存，也可以拉高公司的库存周转天数。假设公司库存周转天数为180天，那么他们可以可以在行业上行期，买入现货之后，隔上半年再卖出，畅享半年左右的价格涨幅，业绩弹性也更大。

2）低库存战略：

以香农芯创为例，公司Q3库存环比下降，不少买方理解为负面。

但我们认为，香农作为虚拟IDM，在颗粒获取这块是极为顺畅的，但流动资产却相对有限，所以必须提高资金的周转率。类似于餐饮业，在场地有限的前提下，提升翻台率，就可以放出业绩。

真正理解香农的业务模式，不能只看库存、而要看流动资产，即现金+应收+存货。加快流速可以有更好的业绩表现。

综上，我们梳理了两大代表性存储公司的库存战略。

- 高库存，可以在上行期放大经营杠杆，也可以维护上下游关系，更是考验企业认知决断的试金石。

- 低库存，则是在供给无压力的情况下，提高流速。提升翻台率，进而稳健释放业绩。

所以，如何正确的理解库存呢？在景气度上行期，无论何种库存战略，只要是具备战略执行力，产业洞察力的优秀企业，都会把握这一轮机遇，获得高增长。存储本就是个大β，一起涨才叫好。

5、美光退出，长鑫链公司有望受益

1）美光计划停止向中国数据中心供应服务器芯片，主要系2023年该业务未能通过中国政府的网络安全审查，其芯片在中国的"关键基础设施"中被禁止使用。

2）长鑫作为国内DRAM产业链核心企业，有望填补部分需求缺口。长鑫已覆盖LPDDR、DDR4等主流规格，并加速过渡至DDR5、HBM3等先进产品，日前已进入IPO辅导验收阶段。

存储原厂喜欢怎样的合作伙伴？对于长存长鑫海力士三星这样的企业而言，影响利润的最大变量是稼动率。周期底部时，原厂需要合作伙伴，无论是渠道商还是模组厂，帮忙消化产能。周期上行时，原厂自然也会对这样的企业予以更多的优待。原厂喜欢的合作伙伴，是底部雪中送炭的，而不是景气度好起来都来要货的。理解了这一点，自然就能理解德明利的优势，公司不只是眼光独到，在底部囤了很多库存。更多是和国产原厂建立了紧密的合作关系。后续可以期待德子和国产原厂的更多联动。

6、从台系厂商看存储，供需紧俏有望延续至明年

根据Trendforce数据，DRAM由于三大 原厂优先将产能给高阶伺服器，排挤消费型电子应用的产能；第四季预估整体一般型 DRAM 价格将季增 8-13%。NAND供应商的库存水位已降至健康标准以下，在北美AI及通用型伺服器需求持续成长下，NAND Flash第四季各类产品合约价平均涨幅达5％～10％。

- 力积电：存储代工维持紧俏格局，受HBM与DDR5产能排挤，利基型DRAM量价齐升；SLC NAND在韩系大厂减产下涨势温和；NOR Flash受AIoT与工控带动，低功耗、高可靠需求明显增长，价格持续上扬。第三季投片意愿已转强，第四季投片量与代工价格将走高，供需紧俏有望延续至明年上半年。

- 华邦电：DDR4 客户需求强劲，预期价格上涨延续到明年，SLC NAND 也因供给紧张，将推动价格上涨。CUBE 产品将于 2026 年下半年进入大量工程样品阶段，将带来营收贡献，并预计在 2027 年开始放量成长。

- 南亚科：南亚科25Q3营收季增78.4%，年增130.9%；DRAM平均售价季增约四成多，出货量季增约两成。AI需求强韧、Non-AI市场供给偏紧，DRAM景气回升明确；AI应用并将由云端逐步外溢至边缘与客制化场景。

结论：过去几轮存储周期主要由供给侧限缩带动价格上扬，因此周期持续性较短。本轮周期除了供给侧调整外，叠加云AI需求扩散至边终端需求，带动整体存储供不应求。我们认为此轮存储上扬周期有望延续至明年，重点关注存储大Beta机会。

7、存储大周期如何演绎？

本轮存储大周期正沿着“AI驱动需求爆发-供给结构性倾斜-全产业链价格普涨”的路径持续演绎，我们认为本轮周期的本质是AI从训练向推理端落地、从云端向边缘端延伸所引发的结构性产能重构与价值重估。

存力有望复刻算力，如果端侧逐渐起量，存储一定是下一个景气大周期；从dram涨价到nand（QLC+SLC）到nor flash，本质都是AI需求强劲带来的结构性涨价，而应用侧起来后我们认为这个幅度会加剧，应用将由云端向边缘端延伸在此过程中，企业级&消费级存储都将受益。

美股对上述产业变化反馈良好，闪迪美光等龙头原厂股价持续新高。

至于三季报，近期市场充分学习产业逻辑，对于三季度模组厂惜售&主动垒库动作已有充分预期，财报前后未必大跌。

四季度重点关注：25Q4合约价环比加速、原厂/设备厂对扩产/capex表述。

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