三星电子在先进半导体技术领域取得显著进展，尤其对其2纳米GAA制程充满信心。在近期一场半导体产业会议上，三星设备解决方案部门总裁兼技术长Song Jae-hyuk表示，2纳米GAA制程良率目标已从50%大幅提升至70%，并计划于2025年底达成。这一突破被视为三星扭转晶圆代工业务落后于台积电局面的关键。内部测试显示，首款采用该技术的Exynos 2600芯片性能已超越苹果A19 Pro和高通骁龙8至尊版。三星正积极寻求政府支持，以应对技术挑战并最终在全球晶圆代工市场中争夺第一。
🌟 **2纳米GAA制程良率大幅提升**: 三星电子已将2纳米GAA制程的良率目标从原先的50%显著提高至70%，并计划在2025年底实现这一目标。这一进展表明三星在先进半导体制造技术上取得了关键性突破，为后续大规模量产奠定了坚实基础。
🚀 **Exynos 2600性能超越竞品**: 三星首款采用2纳米GAA技术的芯片Exynos 2600，在初步的内部测试中显示出强大的性能表现，其性能已超越了竞争对手苹果的A19 Pro和高通的第五代骁龙8至尊版。这预示着三星在高端移动芯片领域将具备更强的竞争力。
🤝 **寻求政府支持以应对挑战**: 三星方面坦承，在追赶台积电的步伐以及应对技术和人力资源挑战方面，需要政府提供强有力的支持。这显示出三星对于实现其晶圆代工市场领导地位的雄心，同时也认识到达成目标所需的外部协作和资源。
快科技10月22日消息，据报道，三星电子近期在先进半导体技术领域展现出强劲的信心，特别是对其2纳米GAA制程的进展高度乐观。
报道称，在由总统办公室政策首席Kim Yong-beom主持的一次半导体产业会议上，三星设备解决方案部门总裁兼技术长Song Jae-hyuk对2纳米GAA制程给出了极高的评价。
此前几年，三星晶圆代工业务的表现一直不如人意，市场份额被台积电大幅领先，但目前情况似乎有所转变。
报告指出，三星已将2纳米GAA的良率目标从原定的50%大幅提高至70%，并计划在2025年底实现这一目标。
一位知情人士透露，三星高层在会议上的言论可以解读为：公司正顺利实现其预期的2纳米制程良率和芯片性能目标。
Song Jae-hyuk更是暗示了雄心壮志，希望借助2纳米GAA节点的成功，最终在全球晶圆代工市场中夺取第一的位置。 不过他也坦言，在追赶台积电以及应对技术和人力挑战方面，公司需要政府提供强有力的支持。
三星首款采用2纳米GAA技术的芯片将是其自研Exynos 2600，初步的内部测试结果显示，Exynos 2600性能超越了竞争对手苹果的A19 Pro和高通的第五代骁龙8至尊版。
