三星在下一代HBM4内存上的研发取得显著进展，良率已达到50%。为加速HBM4及HBM4E的量产，三星正积极扩充High-NA EUV光刻机产能，并已从ASML购入5台全新设备。其中两台将用于半导体代工事业部，其余三台则专供存储事业部，预示着专属内存生产线的建立。此举旨在提升HBM4量产速度，并为HBM4E和HBM5提前布局。虽然三星平泽园区的DRAM部门已接近满载，但若北美客户追加订单，部分光刻机可能部署至美国德州。三星的战略调整将加剧与SK海力士在DRAM市场的竞争。
💡 **HBM4良率突破与产能扩张**: 三星在下一代高带宽内存（HBM4）的研发上取得了关键性进展，其良率已成功达到50%。为应对日益增长的市场需求，三星正大力投资并扩充其High-NA EUV光刻机的产能，这对于加速HBM4及更高规格的HBM4E的量产至关重要。
🚀 **EUV光刻机战略部署**: 三星已从ASML采购了五台全新的High-NA EUV光刻机。其中两台将部署于其半导体代工事业部，而另外三台则将专门用于其存储器（DRAM）事业部。这一举措表明三星正在建立专属的内存生产线，以期在HBM4的量产速度上取得优势，并提前布局下一代HBM5技术。
⚔️ **市场竞争格局重塑**: 此次三星在EUV光刻机和HBM内存领域的积极布局，预示着其与主要竞争对手SK海力士之间的竞争将进一步升级。SK海力士目前在HBM3/HBM3E领域占据领先地位，三星此举旨在通过扩大DRAM产能来缩小差距，争夺市场份额。
IT之家 10 月 17 日消息，据科技媒体 TweakTown 今天报道，三星下一代 1c DRAM 在 HBM4 上的良率已达到 50%，同时该公司还在扩充 High-NA EUV 光刻机产能，加速量产 HBM4、HBM4E。
据消息人士 Jukanlosreve 昨天在 X 平台的发文，三星已加速押注 DRAM 领域，从 ASML（IT之家注：阿斯麦）购入 5 台全新 High-NA EUV 光刻机，其中 2 台将部署在三星半导体代工事业部，其余设备则专供存储事业部。
TweakTown 对此认为，三星的这番举动暗示着将建立专属内存生产线，使得 HBM4 量产速度更快，同时提前部署 HBM4E 和下一代 HBM5。
一位半导体业界人士表示：“过去三星的代工和存储业务在韩国平泽园区共用 EUV 工艺，但随着最新变化，新增的五台光刻机将专供存储业务”。
作为参考，三星平泽园区的 DRAM 部门每月大约生产 30 万片晶圆，其产线几乎已经满载，不过根据另一名业内人士透露，如果北美的主要客户追加订单，那剩下三台光刻机有可能被送至美国德州泰勒晶圆厂。
对比之下，三星的竞争对手 SK 海力士仍处于领先地位，为英伟达 Blackwell 系列 GPU 供应 HBM3 / HBM3E 芯片，三星此举势必将扩大 DRAM 产能，让两家公司之间的竞争进一步升级。
