近期，全球存储市场呈现普涨态势，主流和利基存储产品价格均出现显著上涨。一方面，NAND和DRAM供应持续趋紧，模组和晶圆价格双双走高，SSD、DDR4/5内存条以及服务器内存价格均有不同程度上涨。另一方面，中小容量NOR Flash价格也受上游原材料成本影响而调涨，大容量NOR Flash合约价进入上行通道。分析认为，存储市场的“超级大周期”正在持续，算力和视频推理需求的增长是主要驱动力，头部厂商正积极拉高价格。美光科技因DRAM“超级紧缺”及NAND涨价，目标价被上调，预计未来盈利能力将大幅提升，并计划增加资本开支和股东回报。

📈 **存储市场供需紧张，价格普遍上涨：** 目前，NAND和DRAM的现货供应趋于紧张，导致模组和晶圆价格持续上涨。SSD（SATA、PCIe）渠道和行业市场价格本周上涨10-20%，DDR4/5 UDIMM、SODIMM价格上涨10-20%，服务器用DDR4 RDIMM内存条价格较上月上涨30-70%，DDR5 RDIMM上涨10-25%。同时，DDR4/DDR5颗粒周度价格持续上涨，NAND TLC/QLC颗粒价格也有所上涨，整体存储市场景气度向好。

💡 **利基存储市场价格有望全面上涨：** 国内中小容量NOR Flash主要供应商发布涨价函，将产品价格上调10%，原因在于上游原材料上涨。大容量NOR Flash在第三季度合约价格已进入上行通道，预计第四季度将保持上涨趋势。中小容量NOR Flash价格也将在第四季度开启涨势，国内NOR Flash厂商有望从中受益。

🚀 **全球存储超级大周期持续，美光科技受益显著：** 行业分析认为，全球存储市场正经历一场强度远超以往的“超级大周期”，算力增长和视频推理需求持续驱动存储市场向上。美光科技因DRAM进入“超级紧缺”状态以及NAND涨价，其目标价被大幅上调。公司预计未来盈利能力将大幅提升，毛利率有望达到65%，并计划增加资本开支以扩建高阶DRAM和HBM产能，同时将重启股票回购计划，提升股东回报。

🌐 **HBM技术发展与市场格局变化：** HBM（高带宽内存）的快速发展是当前存储市场的重要驱动力之一。尽管美光在HBM产能方面面临一定限制，且HBM4的进度落后于竞争对手，但其仍将保持在NVDA和AMD供应链中的重要地位。HBM的扩产挤压了传统DRAM的产能，导致DRAM扩产缺席，从而降低了周期波动性，并使得美光通过长期协议锁定了云客户的需求，盈利能见度达到十年最佳。

2025-10-17 00:10 广东

主流、利基存储价格齐涨：

主流存储方面，景气度持续向好，模组、晶圆端价格持续上涨。模组端来看，10.14周二，根据CFM闪存市场，现货NAND、DRAM供应全面趋紧，周度存储价格再度全线上涨。SSD（SATA、PCIe）渠道、行业市场本周价格上涨达10-20%，DDR4/5 UDIMM、SODIMM本周价格上涨达10-20%，服务器用DDR4 RDIMM内存条相较上月价格上涨达30-70%，DDR5 RDIMM上涨达10-25%。Wafer端来看，根据Bloomberg，至10月上旬，DDR4/DDR5颗粒周度价格持续上涨，相较8.29价格上涨8-45%，NAND TLC/QLC颗粒价格上涨0-12%。

利基存储方面，中小容量NOR价格有望全面上涨。10.15周三，国内中小容量NOR Flash主要供应商之一恒烁股份发布涨价函称因近期上游原材料上涨，公司产品价格上调10%。大容量NOR来看，Q3合约价格已进入上行通道，台系厂商报价涨幅超20%，Q4将保持上涨趋势；本次中小容量NOR价格有望在Q4开启涨势，我们看好国内NOR Flash厂商受益。

我们认为存储涨价将逐渐从“大宗”→“利基”。价格传导路径为三星/美光/海力士→华邦/旺宏→兆易→恒烁/普冉/东芯/聚辰。

昨天普冉调研，公司对于nor涨价口径有所提升，由此前的“不全面跟涨”→“Q4落地个位数涨价，且后续仍有涨价预期”。

全球存储超级大周期继续，美股、日韩多家企业大涨创历史新高，本轮存储的周期强度远远大于传统历史库存周期，这是一场完美风暴，价格的涨幅强度有望追平甚至超越16-18年的服务器超级周期，收入、毛利率和估值三增。从供需来看，算力的增长、视频推理的增长都会持续驱动存储边际上行，而头部原厂一定是要趁着这一波挣到爽，即使稼动率开不满，也要先把价格给拉起来。

Micron Technology Inc：Increasing PT Again As Memory Faces  Intensifying Shortages

1、 瑞银将美光目标价从225美元上调至245美元，维持“买入”评级，当前股价191.94美元，隐含27.6%上涨空间+0.2%股息，合计预期回报27.9%，跑赢市场8.5%基准。  

2、 DRAM进入“超级紧缺”：云巨头2026年DDR bit需求同比翻倍，智能手机客户追加订单，而行业新增晶圆几乎全部转产HBM，DDR现货缺口贯穿2026全年，ASP再提40%+。  

3、 美光HBM产能受限，瑞银下调2026年HBM出货量约8%至7.5B Gb，份额止步24%； Idaho新厂2026年底才投产，HBM4逻辑基板重新设计，进度落后SK海力士，但仍将保持NVDA Rubin (~25%)与AMD MI450 (~35%)第二供应商地位。  

4、 价格弹性直接兑现盈利：FY26E/FY27E EPS大幅上修至24.04/30.37美元（+26%），毛利率峰值看65%，ROIC升至50%以上；2026年自由现金流预计49亿美元，净现金由负转正。  

5、 资本开支同步加码：2026/2027年 gross capex 提至21.5/24.0亿美元（含政府补贴约2B/年），同比增约1B，验证高阶DRAM与HBM产能扩建决心，设备链LRCX、AMAT直接受益。  

6、 NAND也迎涨价：eSSD供应最紧，QLC高阶订单持续涌入，2026年ASP看升20%+，美光NAND业务毛利率有望突破40%，贡献额外利润弹性。  

7、 行业结构持续优化：HBM“挤出”效应使传统DRAM扩产缺席，周期波动性下降；美光通过LTAs（长协）锁定云客户2026-2027年量价，盈利能见度为十年最佳。  

8、 估值框架不变：SOTP给予核心DRAM+NAND 3× P/S（162美元），HBM 6× P/S（83美元），合计245美元；若周期延长，估值倍数仍有上调空间，下行风险主要来自宏观经济衰退或技术迁移延迟。  

9、 美光现金回报策略启动：2027年起股息逐步提升，并计划重启回购（2028E回购额近40亿美元），股东回报率有望从0.3%抬升至2%以上，增强防御属性。  

10、 瑞银量化问卷打分5/5，近3个月基本面“显著好转”，短期催化剂包括：①2025年11月财报（预期再超预期）；②Idaho厂建设进度更新；③HBM4客户认证进展，股价高贝塔弹性延续。

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