国产芯片迎来机遇
10月16日，A股存储芯片、半导体板块延续近期强势，盘中再度集体冲高。截至发稿，尽管板块整体涨幅有所回落，但仍保持活跃态势。
个股方面，云汉芯城强势封住20CM涨停，香农芯创涨近16%，三孚股份、德明利、睿能科技等多股涨停，开普云、江波龙等个股跟涨。
自9月初以来，该板块累计涨幅已近20%，若从4月9日年内低点计算，累计涨幅接近69%，展现出强劲的上涨动能。
受海外巨头产能战略性收缩、AI算力需求爆发等因素驱动，全球存储芯片行业正步入一轮供需关系逆转的“超级周期”。
为了将产能向高附加值的HBM（高带宽内存）倾斜，三星、美光、SK海力士等国际大厂自今年4月起，陆续削减DDR4等传统产品产能，直接导致DDR4、LPDDR5等成熟制程产品出现显著供应缺口。
尽管三星与SK海力士近期已将DDR4生产计划延长至2026年以应对市场需求，但整体供给紧张局面仍未缓解。
持续的供不应求推动存储芯片价格进入全面上涨通道。闪迪率先宣布产品价格上调10%以上，美光随后向渠道发出20%–30%的涨价通知。三星近日亦向大客户更新第四季度LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM产品协议价，预计涨幅达15%–30%。
需求侧的爆发则是此轮周期的核心驱动力。AI算力需求的爆发催生了HBM的“记忆刚需”，而美国国家级AI基础设施计划“星际之门”的推进则进一步放大了这一需求。
业内估计，仅OpenAI相关需求就可能达到每月90万片晶圆，约为当前全球HBM总产能的两倍。10月初，三星与SK海力士双双宣布将为“星际之门”供应HBM芯片，意味着HBM需求未来将进入爆发阶段。
美光科技CEO指出，预计全球存储芯片（尤其HBM）供需失衡态势将持续加剧，因为DRAM库存已低于目标水平，NAND库存亦持续下降。同时，明年HBM产能已基本锁定，需求增长显著，2026年HBM出货量增速预计超整体DRAM，成存储板块核心增长动力。
此外，TrendForce集邦咨询指出，由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶ServerDRAM和HBM，排挤PC、Mobile和Consumer应用的产能，同时受各终端产品需求分化影响，第四季旧制程DRAM价格涨幅依旧可观，新世代产品涨势相对温和。预计第四季度一般型DRAM价格将环比上涨8–13%，计入HBM后整体涨幅将扩大至13–18%。
摩根士丹利更是认为，在人工智能热潮下，存储芯片行业预计迎来一个“超级周期”。预计今年第四季度，动态随机存取存储器DRAM的价格将环比上涨约9%。
当前，全球存储芯片格局正经历深刻变革。
随着三星、美光等国际大厂将DDR4等成熟制程产能转向高附加值的HBM领域，全球市场出现显著供给缺口，为国内存储芯片企业承接溢出需求提供了重要机遇。
与此同时，在HBM产业链关键环节，国内企业正逐步实现突破。尽管尚未完成HBM产品的自主量产，但在封装材料、特种气体、测试接口及电源管理芯片等配套领域，已有部分国内供应商通过技术突破，成功切入全球高端供应链体系。
这意味着海外AI算力需求的爆发有望通过产业链传导，直接转化为对国内配套企业的实质性订单。
展望后市，德邦证券研报认为，存储芯片于2024年开启新上行周期，核心受益于AI基建带来的需求增长。前两轮周期本质更多依托消费端发力，而本轮存储芯片的需求更多源自大型科技公司在AI时代的算力基建，持续性可能更强。
TrendForce集邦咨询指出，进入2026年，三星、海力士、美光三大存储巨头预计均会持续快速将产能升级至先进制程，同时减少成熟制程的产能比重。对国内公司而言，将有更多机会在国内云服务商中争取供应份额，或在全球范围内的成熟制程产品争取供应份额。
