三星电子在OCP全球峰会上宣布，已加速其下一代HBM4E高带宽内存的研发，以满足英伟达未来AI GPU的需求。三星HBM4E的单引脚数据传输速率将达到至少13Gbps，配合2048个数据I/O引脚，可实现高达3.25TB/s的内存带宽，远超HBM4标准。这一性能提升是为响应英伟达对其下一代“Vera Rubin”架构AI GPU提出的更高带宽要求。三星计划于2027年实现HBM4E的大规模生产，其总带宽将是HBM3E的2.5倍以上，能源效率也将提升两倍以上。

🚀 **HBM4E性能飞跃**：三星宣布已加速下一代HBM4E高带宽内存的研发，目标是单引脚数据传输速率至少达到13Gbps，并配备2048个数据I/O引脚，旨在实现高达3.25TB/s的内存带宽。这一速率远超JEDEC为HBM4制定的8Gbps标准，预示着AI计算能力将迎来重大提升。

💡 **满足英伟达严苛需求**：此次性能目标的提升主要源于关键客户英伟达对其下一代“Vera Rubin”架构AI GPU对更高带宽的迫切需求。英伟达已向三星等内存制造商明确提出HBM4单引脚速度需超过10Gbps的要求，三星率先响应并提出了13Gbps的更高目标。

📈 **全面超越HBM3E**：与现有的HBM3E内存相比，三星HBM4E在多个方面实现了显著提升。不仅总带宽实现了超过2.5倍的巨大飞跃，其能源效率也提升了超过两倍，为AI计算提供了更强大、更高效的内存解决方案。

🗓️ **量产时间表**：面对市场需求和技术挑战，三星计划在2027年将这款高性能的HBM4E内存投入大规模生产，确保能够及时为下一代AI GPU提供支持。

IT之家 10 月 15 日消息，消息源 @Jukanlosreve 今天（10 月 15 日）在 X 平台发布推文，报道称在 2025 年 OCP 全球峰会上，三星电子宣布已加速其下一代 HBM4E 高带宽内存的研发进程，旨在满足英伟达未来 Rubin AI GPU 的严苛需求。

根据公布的计划，三星 HBM4E 的单引脚数据传输速率将至少达到 13Gbps，配合 2048 个数据 I/O 引脚，可实现最高每秒 3.25TB 的惊人内存带宽。这一性能指标不仅远超 JEDEC 为 HBM4 制定的 8Gbps 标准，更预示着 AI 计算能力将迎来新的飞跃。IT之家附上截图如下：

此次性能目标的激进提升，主要源于其关键客户英伟达对更高带宽的迫切需求。为配合其下一代“Vera Rubin”架构的 AI GPU，英伟达已向三星、SK 海力士等内存制造商明确要求，HBM4 的单引脚速度需超过 10Gbps。

面对这一挑战，三星率先响应并提出了 13Gbps 的更高目标，计划在 2027 年将这款高性能内存投入大规模生产。

与现有的 HBM3E 内存相比，三星 HBM4E 的提升是全方位的。除了总带宽实现了超过 2.5 倍的巨大飞跃外，其能源效率也提升了超过两倍。