🌟 三星电子在2023年第三季度凭借194亿美元的总销售额，成功超越SK海力士，重夺全球存储芯片市场的领导者宝座。这一成就主要归功于市场对DRAM和NAND闪存的强劲需求。Counterpoint Research的分析师指出，三星在今年上半年虽然在HBM业务方面遇到了一些挑战，但通过积极采取措施提升产品质量，成功扭转了局面，重新赢得了市场份额，这标志着公司在竞争激烈的存储芯片领域展现出的韧性和市场适应能力。

💡 三星电子的HBM（高带宽存储）技术是其未来增长的关键。近期，三星的第五代12层HBM3E芯片已成功通过了英伟达的资格测试。这一里程碑式的进展使得三星成为继SK海力士和美光科技之后，第三家获得英伟达HBM3E认证的供应商。这不仅巩固了三星在高端存储芯片市场的地位，也为其在AI和高性能计算领域的发展奠定了坚实基础，预示着其在明年有望实现全面复苏。

📈 三星电子的整体财务表现也印证了其业务的强劲复苏。根据初步业绩报告，公司第三季度的营业利润同比增长了32%，达到12.1万亿韩元（约合85亿美元），创下了三年多来的最高季度利润。同时，第三季度的销售额也首次突破了80万亿韩元，同比增长8.7%，达到86万亿韩元。这一显著的财务增长，得益于芯片业务的复苏以及整体市场需求的提升，显示了三星在宏观经济波动中依然保持了强大的盈利能力。

财联社10月14日讯（编辑 卞纯）周二公布的数据显示，三星电子第三季度从SK海力士手中重新夺回了全球存储芯片市场霸主之位。

根据行业追踪机构Counterpoint Research编制的数据，三星电子包括动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存在内的存储芯片的总销售额在7月至9月期间达到194亿美元，较上一季度增长25%。

SK海力士第三季度的销售额为175亿美元，较上年同期增长13%。

Counterpoint Research将三星电子第三季度的强劲业绩归功于市场对DRAM和NAND闪存的需求强劲。

该机构还预测，凭借新一代高带宽存储（HBM）芯片（HBM是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM），三星电子明年有望实现全面复苏。

Counterpoint Research还表示，三星电子第四季度可能会保持在全球存储芯片市场的霸主之位。

“三星电子上半年因HBM业务表现不佳而面临诸多挑战，但在积极采取措施提升产品质量后重夺第一。” Counterpoint研究员Choi Jeong-ku表示。

三星的第五代12层HBM3E近期通过英伟达的资格测试。这也使得三星成为继SK海力士和美光科技之后，第三家获得英伟达HBM3E认证的供应商。

周二早些时候，三星电子发布了第三季度初步业绩，显示受益于芯片业务复苏，当季公司营业利润强劲反弹。

根据初步业绩，三星电子第三季度营业利润同比增长32%，达到12.1万亿韩元（约85亿美元），创下三年多来最高的季度利润，远高于LSEG SmartEstimate预计的10.1万亿韩元。第三季度销售额同比增长8.7%，至86万亿韩元，为单季销售额首次突破80万亿韩元。