2025年9月，芯德半导体工程团队成功完成FOCT-L(FANOUT Connected Tech-Local Silicon Interconnect)基于埋入式桥接扇出式高性能芯片互联封装工艺的全流程技术验证！这标志着芯德半导体在2.5D/3D先进封装领域取得里程碑式突破，已具备国际领先的本地化硅中介层互联集成能力，正式跻身全球先进封装技术第一梯队，可以为下一代高性能计算芯片提供核心封装支撑。

在算力需求爆炸式增长的今天，摩尔定律的脚步逐渐放缓，而先进封装技术正成为延续芯片性能提升的关键路径。FOCT-L封装作为2.5D/3D先进集成技术皇冠上的明珠，以高密度、高带宽、低功耗为核心优势，是支撑AI训练芯片、高端GPU、HPC处理器及大容量存储芯片的基石。芯德半导体研发团队直面本地硅桥互联、高精度键合、超薄芯片堆叠、信号完整性控制等挑战，成功攻克核心技术壁垒。

研发团队实现多芯片模块内局部区域的高密度直接互连，摒弃传统中介层(Interposer)全局布线模式。通过微米级硅桥(Si-Bridge)在芯片边缘关键区域构建微米级互连通道，互连密度较传统封装提升5倍以上，信号传输距离缩短至毫米级。以本地硅桥(LSI)阵列替代单片硅中介层，实现“化整为零”的模块化设计：单中介层集成2*LSI芯片，支持2500mm²超大封装面积，塑封通孔(TMV)插入损耗＜0.3dB/mm，解决光刻拼接误差难题，为国产超大算力芯片扫除封装障碍。

优势一：相较于全尺寸硅中介层，局部硅桥的硅材料使用面积减少了70%以上，极大地降低了昂贵的硅材成本和中介层制造/加工费用，使得这项尖端技术更具经济性和市场竞争力。

优势二：该结构允许在同一个中介层上灵活布局多个局部硅桥互联，以支持多颗芯片异构集成。设计人员可以像“搭积木”一样，自由组合不同工艺、不同功能的芯片(如CPU、GPU、HBM、IO、SOC等)，实现最佳的系统性能配置。

优势三：实现硅桥互联800nm/800nm超细线宽/间距，芯片键合uBump键合间距36μm，层间对准精度±1μm，满足高性能GPU互连需求，信号延迟降低80%。

优势四：研发团队依托多物理场高精度热—力协同仿真平台优化设计：精准预测产品全生命周期应力分布，指导硅桥形状、底部填充料配方等多维度协同设计，将关键互联点应力降40%以上；还针对硅桥结构研发匹配专属材料，搭配适配厚度，保障产品严苛环境下长期可靠性。

此次2.5D FOCT-L样品成功通线，是芯德半导体技术研发实力的硬核印证，也是中国高端半导体封装领域迈向自主可控新阶段的重要一步。

未来，芯德半导体将持续深耕先进封装领域，进一步深入研究超大颗倒装贴片技术、超大视场技术、超高精度埋入贴片技术、埋入式TSV-露铜技术等核心攻关，推进FOCT-L在GPU以及CPO领域的应用，向3DIC、Chiplet 等更高阶领域突破，携手产业链上下游伙伴，共同为中国半导体产业的自主繁荣注入强劲动力！