台积电正积极推进埃级(Angstrom)制程的研发与量产,其1.6纳米(A16)、1.4纳米(A14)及2纳米制程已进入关键阶段。高雄的南部科学园区正规划六座晶圆厂,总投资超500亿美元,其中五座将用于2纳米与A16制程量产,一座专用于A14制程,目标2028年实现量产。同时,台积电在美国亚利桑那工厂的2纳米芯片(N2)量产时间提前至2026年下半年,并计划布局A16制程及扩建产能。台积电在尖端制程技术上保持领先优势,未来可能与Intel的14A制程展开竞争。
⭐ **埃级制程加速推进**:台积电正全力投入1.6纳米(A16)、1.4纳米(A14)及2纳米(N2)等尖端制程的研发与量产准备,标志着其向更先进的制程技术迈进,以巩固其在半导体制造领域的领导地位。
📍 **高雄工厂战略布局**:位于高雄的南部科学园区是台积电重点投资区域,规划建设六座晶圆厂,总投资超过500亿美元。其中,五座厂将聚焦2纳米及A16制程的量产,一座专为A14制程设计,目标是将其打造成引领埃级时代的核心基地,并计划于2028年实现A14制程的量产。
🇺🇸 **亚利桑那工厂产能提前**:台积电在美国亚利桑那州的工厂建设显著提速,原定2027年投产的2纳米芯片(N2)预计提前至2026年下半年实现量产。该工厂未来还将部署A16制程,并计划增建3号、4号晶圆厂以扩大产能,进一步分散地缘政治风险并满足全球需求。
🏆 **技术领先与竞争态势**:目前,台积电在先进制程技术方面拥有显著优势,少数竞争对手虽也在研发类似技术,但进度均落后于台积电。未来,台积电的A14制程可能与Intel预计2028年大规模量产的14A制程形成直接竞争,行业格局将持续演变。
据最新行业报告披露,台积电正加速迈向 Angstrom(埃级,1埃米= 0.1纳米)制程时代。其尖端 A16(1.6纳米)、A14(1.4纳米)及2纳米制程的研发与生产筹备已进入关键阶段。
从台积电本土工厂进展来看,位于南部高雄的工厂正筹建六座晶圆厂,总投资额超 500 亿美元,是其目前重点投入的高价值项目。
其中五座晶圆厂将聚焦 2 纳米与 A16 制程的量产,第六座则计划专门用于高阶A14 制程生产,预计2028年实现该制程的量产落地。
随着这些尖端制程产能的逐步释放,高雄工厂将成为台积电引领 Angstrom 时代的核心基地之一。

在海外布局方面,台积电美国亚利桑那州工厂的产能建设与制程落地计划显著提速。
原本计划2027年投产的2纳米芯片(代号 N2),现在预计 2026 年下半年就能开始量产,比原计划早了快一年。未来还将在该工厂布局 A16 制程,并筹建3号、4号晶圆厂以扩大产能。
从行业竞争格局来看,台积电当前的制程技术优势较为明显,目前仅有少数竞争对手在推进类似尖端制程研发,但在进度上均落后台积电不少。
此前有报告称,Intel 的 14A(可能是1.4 纳米级别)制程预计 2028 年大规模量产,届时或与台积电的 A14

制程形成直接竞争。