在2025年全球存储创新论坛上，三星宣布将推出采用CXL 3.1和PCIe 6.0技术的新一代存储产品。公司存储事业部首席技术官Kevin Yoo公布了详细的产品路线图，包括性能大幅提升的PM1763 Gen 6 SSD，以及计划于2027年推出的512 TB PCIe Gen 6 SSD。此外，具备GIDS技术、被誉为内存级存储的第七代Z-NAND产品也将在2026年问世。三星通过优化电容器、主控芯片和DRAM布局，显著提升了高容量SSD的散热和性能效率，这些产品对AI实验室和数据中心尤具吸引力，但仍需解决高容量产品的功耗和散热挑战。

🚀 **新一代存储技术升级**：三星将在2025年全球存储创新论坛上发布采用CXL 3.1及PCIe 6.0技术的新一代SSD产品，标志着存储技术的又一次飞跃。PM1763 Gen 6 SSD预计在2026年初发布，其性能将较前代提升约一倍，同时保持25瓦的功耗，这对于追求高性能与能效平衡的应用场景至关重要。

💡 **高容量SSD路线图**：三星展示了其雄心勃勃的高容量SSD发展计划，包括2026年推出256 TB Gen 5 SSD，以及在2027年推出采用1T EDSFF形态的512 TB PCIe Gen 6 SSD。这些超大容量的存储解决方案将为需要处理海量数据的AI训练和大型数据中心提供强大的支持。

🧠 **内存级存储与AI应用**：第七代Z-NAND产品，具备GIDS技术并被定位为“内存级存储”，计划于2026年上线。这类产品能够提供接近内存的访问速度，对于需要快速数据访问的AI应用，如AI训练和推理，将带来显著的性能提升。高容量SSD的散热和功耗优化也是三星重点关注的领域，以确保这些先进技术的稳定运行。

📈 **市场前景与挑战**：高容量SSD的推出对AI和数据中心的发展具有重要意义，能够满足日益增长的数据处理需求。然而，三星也坦承，在实现这些高容量产品的最终发布前，仍需持续解决散热和功耗的技术难题，最终发布日期可能会根据技术进展进行调整。

在2025年全球存储创新论坛（深圳）上，三星确认将推出新一代CXL 3.1及PCIe 6.0 CMM-D存储产品。三星存储事业部首席技术官Kevin Yoo公布了即将上市的存储产品时间表。PM1763 Gen 6 SSD预计于2026年初发布，性能较前代产品提升约一倍，同时保持约25瓦的功耗。

2026年推出256 TB Gen 5 SSD后，三星计划在2027年推出采用1T EDSFF形态的512 TB PCIe Gen 6 SSD。此外，第七代Z-NAND产品（具备GIDS技术、被称为内存级存储）也计划于2026年上线。

三星此前在2025年8月的未来存储大会展示了PM1763 256 TB SSD，首次公开256 TB原型机，而早在2023年就已公布相关计划。此次论坛透露，该产品已接近市场发布阶段。三星对电容器、主控芯片和DRAM布局进行全面优化，显著提升了高容量固态硬盘的散热与性能效率。

此类高容量SSD对于AI实验室具有极大吸引力，尤其是在AI训练对海量数据需求日益增长的背景下。以上SSD具体发布时间尚未最终确定，三星还需持续解决高容量产品的散热与功耗问题，最终发布日期可能会有所调整。

高容量SSD的市场及技术进步可以为AI及数据中心未来发展带来重要突破。

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