在2025年全球存储创新论坛上，三星公布了其下一代CXL 3.1及PCIe 6.0 CMM-D存储产品的路线图。PM1763 Gen 6 SSD预计2026年初上市，性能翻倍且功耗保持在25瓦。三星还计划在2026年推出256 TB Gen 5 SSD，并在2027年推出512 TB PCIe Gen 6 SSD。第七代Z-NAND产品（内存级存储）也将在2026年上线。这些高容量SSD通过优化电容器、主控和DRAM布局，提升了散热与性能效率，对AI训练等海量数据需求场景具有重要意义。尽管具体发布时间尚待确定，三星正积极解决高容量产品的散热与功耗挑战，以推动AI及数据中心领域的突破。

💡 **下一代存储产品路线图公布：** 三星在2025年全球存储创新论坛上，确认将推出采用CXL 3.1及PCIe 6.0技术的新一代CMM-D存储产品。其中，PM1763 Gen 6 SSD预计在2026年初发布，其性能将较前代产品提升约一倍，同时将功耗控制在约25瓦，展现了在性能和能效上的显著进步。

🚀 **未来存储容量规划：** 除了已公开的256 TB Gen 5 SSD（预计2026年推出），三星还计划在2027年推出采用1T EDSFF形态的512 TB PCIe Gen 6 SSD，进一步刷新存储容量的上限。此外，具备GIDS技术、被称为内存级存储的第七代Z-NAND产品也计划于2026年上线，为高性能计算提供新的解决方案。

⚡ **技术优化与AI应用潜力：** 三星通过对电容器、主控芯片和DRAM布局进行全面优化，显著提升了高容量固态硬盘的散热与性能效率。这些高容量SSD对于AI实验室尤其具有吸引力，能够满足AI训练日益增长的海量数据需求，为AI和数据中心未来的发展带来重要突破。

⚠️ **发布时间与挑战：** 尽管三星公布了详细的产品计划，但部分SSD的具体发布时间尚未最终确定。公司仍在持续解决高容量产品的散热与功耗问题，最终发布日期可能会根据技术进展有所调整，这体现了其在追求极致性能的同时，对产品稳定性和可靠性的重视。

在2025年全球存储创新论坛（深圳）上，三星确认将推出新一代CXL 3.1及PCIe 6.0 CMM-D存储产品。三星存储事业部首席技术官Kevin Yoo公布了即将上市的存储产品时间表。PM1763 Gen 6 SSD预计于2026年初发布，性能较前代产品提升约一倍，同时保持约25瓦的功耗。

2026年推出256 TB Gen 5 SSD后，三星计划在2027年推出采用1T EDSFF形态的512 TB PCIe Gen 6 SSD。此外，第七代Z-NAND产品（具备GIDS技术、被称为内存级存储）也计划于2026年上线。

三星此前在2025年8月的未来存储大会展示了PM1763 256 TB SSD，首次公开256 TB原型机，而早在2023年就已公布相关计划。此次论坛透露，该产品已接近市场发布阶段。三星对电容器、主控芯片和DRAM布局进行全面优化，显著提升了高容量固态硬盘的散热与性能效率。

此类高容量SSD对于AI实验室具有极大吸引力，尤其是在AI训练对海量数据需求日益增长的背景下。以上SSD具体发布时间尚未最终确定，三星还需持续解决高容量产品的散热与功耗问题，最终发布日期可能会有所调整。

高容量SSD的市场及技术进步可以为AI及数据中心未来发展带来重要突破。