飙叔科技洞察 09月28日 22:11
全球晶圆厂布局调整:从扩张到战略性分化
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2025年全球晶圆厂新增数量较2024年显著回落,预示着半导体产业正从全面扩张转向战略性布局。地缘政治、AI芯片需求及区域补贴政策促使全球晶圆制造格局呈现“China for China”、“US for US”及“Non-China for Non-China Customers”的分化趋势。新建晶圆厂主要集中在美洲、日本、中国大陆和欧洲,以12英寸先进制程为主,服务于AI和高性能计算。台积电持续领先先进制程,三星则通过降价竞争。中国大陆则聚焦成熟制程,并积极发展第三代半导体。未来,产能利用率将成为决定胜负的关键,中国大陆厂商在成熟制程领域有望保持高位运行。

🌐 **全球晶圆厂布局结构性调整:** 2025年计划新建晶圆厂数量大幅减少至18座,标志着半导体产业从全面扩张转向战略性布局。这一调整受到地缘政治、AI芯片需求以及各国补贴政策的共同影响,促使全球晶圆制造格局向区域化、阵营化方向发展,形成“China for China”、“US for US”及“Non-China for Non-China Customers”的态势。

📈 **先进制程与成熟制程的分化发展:** 新建晶圆厂以12英寸(300mm)为主,聚焦7nm及以下先进制程,以满足AI和高性能计算需求。台积电在先进制程领域保持领先地位并大幅扩张,三星则通过价格战寻求突破。中国大陆则重点发展28纳米及以上的成熟制程,以满足汽车、工业控制等内需市场,预计到2030年在12英寸晶圆代工市场占有率将显著提升。

💡 **第三代半导体与产能利用率的关键作用:** 中国在第三代半导体材料领域取得突破,如武汉最大的碳化硅晶圆厂投产,为新能源汽车提供支持。同时,随着产能的增长,产能利用率将成为行业竞争的关键。中国大陆厂商凭借内需市场和技术升级,在成熟制程领域有望保持较高的产能利用率,这可能成为全球半导体可持续发展的关键因素。

原创 飙叔科技洞察 2025-09-28 18:11 福建

2024年全球新增晶圆厂达42座,延续了芯片需求驱动的扩产潮。而进入2025年,行业布局呈现结构性调整,预计新启动建设的晶圆厂数量降至18座。

这一数字变化的背后,是全球半导体产业从全面扩张转向战略性布局的深刻变革。地缘政治、AI芯片需求与区域补贴政策正形成合力,将全球晶圆制造格局推向“China for China”、“US for US”及“Non-China for Non-China Customers”三大阵营的分化态势。

一、从42座到18座,产能过剩?

SEMI数据显示,2025年计划新建的18座晶圆厂呈现鲜明的区域集聚特征。美洲与日本各计划建设4座,中国大陆与欧洲中东地区各3座,中国台湾2座,而韩国和东南亚各1座。

这一分布背后是各国对半导体供应链安全性的战略考量。美国通过《芯片法案》吸引台积电、英特尔等公司建厂;日本凭借其在半导体材料和设备方面的基础吸引投资;欧盟则侧重于减少对外部芯片的依赖。

晶圆厂建设规模的变化反映出行业对产能过剩风险的警惕。与2024年新增42座晶圆厂相比,2025年18座新厂的数量显著回落,表明投资者在AI热潮中依然保持理性。

从产能规格看,新建项目以12英寸(300mm)晶圆厂为主力,占比达15座,仅3座为8英寸(200mm)晶圆厂。12英寸产线主要聚焦7nm及以下先进制程,服务于AI芯片与高性能计算需求。

二、先进制程与成熟制程的分化

台积电继续以其技术领先地位主导全球先进制程市场。2025年上半年,台积电以超70%%的市占率稳居龙头,其3纳米、5纳米及7纳米制程合计贡献了将近80%的晶圆销售额。

台积电2025年计划新建9座工厂(8座晶圆厂+1座先进封装厂),创下公司历史上最大规模的扩张步伐。这一扩张涵盖台湾、美国、日本和德国等地,旨在应对AI、5G和汽车电子领域的需求激增。

三星则试图通过价格战挑战台积电的领导地位。据报道,三星已将2nm工艺晶圆报价降至2万美元,较台积电3万美元的传闻报价低了三分之一。这一激进举措既是为避免2nm产线闲置,也是为保障投资回报的必然选择。

美国阵营专注于先进制程(16纳米及以下)的扩张。以英特尔和台积电为代表,美国正在争取到2030年在其本土的先进制程市占中占据重要份额。

相反,中国大陆2025年计划建设的3座晶圆厂,主要集中于成熟制程领域。与中芯国际、华虹集团等企业的扩产规划高度契合,这些产线主要服务于汽车芯片、工业控制等内需市场。

中国半导体产业正通过聚焦成熟制程(28纳米及以上)加速扩张。数据显示,全球12吋晶圆代工产能年复合成长率约10%,而中国大陆则高达20%。预计到2030年,中国大陆在12吋晶圆代工市占率将达36%,在成熟制程领域更接近5成。

中芯国际在逆势中表现亮眼。2025年上半年以5.9%的市场份额,排名全球第三。这一增长得益于客户提前备货、中国“以旧换新”政策推动,以及工业与汽车领域补库存。

在第三代半导体材料领域,中国也取得重要突破。2025年6月,全国最大的碳化硅晶圆厂在武汉正式投产,该项目总投资200亿元,可年产36万片6英寸碳化硅晶圆,达产后每年可满足144万辆新能源车需要。

三、产能利用将成胜负手?

随着新晶圆厂的陆续建设,产能利用率呈现分化回暖态势。2025年,AI和先进制程成为台积电的增长引擎。而成熟制程的需求也将普遍回暖,但竞争依然激烈,产能利用率难以回到2022年的超高水位。

中国大陆厂商有望凭借内需市场和持续的技术升级,保持较高的产能利用率。中芯国际2024年开启明确的“V型”反弹,主要得益于消费电子、物联网及国产替代等需求回暖。

如上表,相比而言虽然成熟制程竞争压力巨大,但中国大陆厂商产能利用率显著提升,未来也将处于高位运行,这或许将决定未来全球半导体可持续发展的关键点。

未来几年,全球半导体产能将继续增长。预计到2025年,先进制程节点(7nm及以下)的产能将达到220万片/月,同比增长16%。主流制程节点(8-45nm)的产能将达到1500万片/月,同比增长6%。

受中国大陆芯片自给自足战略和汽车、物联网应用预期需求的推动,成熟制程节点(50nm及以上)预计将增长5%,达到每月1400万片。到2030年,中国大陆在12吋晶圆代工市场占有率将达36%,在成熟制程领域更接近50%。而美国在先进制程(16纳米及以下)的市占率也将显著提升。

因此,全球半导体产业正从单一的全球化协作体系,转向多区域、多技术路线并行发展的新格局。芯片之争已不再是单纯的技术竞赛,而是国家战略、产业政策与全球供应链重塑的综合博弈。

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