俄罗斯科学院微结构物理研究所公布了一项雄心勃勃的极紫外（EUV）光刻设备长期发展路线图，计划开发工作波长为11.2纳米的设备。该路线图涵盖2026年至2037年，初期目标是40纳米制程，最终实现亚10纳米工艺。与ASML的EUV技术不同，俄方计划采用混合固态激光器、氙气等离子体光源以及钌/铍反射镜，旨在降低维护需求并规避高压浸没式液体和多重曝光等复杂步骤。该计划分为三个阶段，逐步提升设备性能和吞吐量，并声称能以更低的成本满足成熟制程的需求。然而，该路线图的可行性仍有待验证，且11.2纳米波长也非行业标准。

💡 **创新EUV技术路线：** 俄罗斯科学院提出了一种全新的EUV光刻技术方案，其核心在于采用11.2纳米的极紫外光波长，而非当前行业主流的13.5纳米。该方案摒弃了ASML设备所使用的锡滴等离子体光源，转而采用混合固态激光器和氙气等离子体，并使用钌/铍合金反射镜。这种设计旨在解决当前EUV技术面临的维护难题，通过消除可能损坏光掩模的碎屑，显著降低设备维护需求，并简化工艺流程，规避了高压浸没式液体和多重曝光等复杂步骤，理论上能提高设备稳定性和使用效率。

🚀 **分阶段实现先进制程：** 该路线图规划了从2026年到2037年的三个发展阶段。第一阶段（2026-2028年）将研发支持40纳米制程的光刻机，具备10纳米的套刻精度和超过5片/小时的吞吐量。第二阶段（2029-2032年）目标是推出支持28纳米（并有潜力升级至14纳米）的扫描光刻机，套刻精度提升至5纳米，吞吐量达到50片/小时。第三阶段（2033-2036年）则旨在实现亚10纳米制程生产，拥有2纳米的套刻精度和超过100片/小时的吞吐量，覆盖65纳米至9纳米的分辨率范围。

💰 **成本效益与市场定位：** 俄罗斯的EUV光刻设备计划强调了其潜在的成本优势，预计单位成本结构将显著低于ASML的先进平台。该项目并非追求超大规模晶圆厂的最高吞吐量，而是瞄准小型晶圆厂的高性价比需求。通过简化设计，该系统有望以显著更低的资本和运营成本，为国内外先进芯片的制造与出口提供支持，尤其可能吸引那些目前未被ASML生态系统覆盖的国际客户，为芯片制造领域带来新的选择。

⚠️ **技术可行性与非标准波长挑战：** 尽管俄罗斯的EUV路线图展示了规避现有技术限制、实现芯片制造自主化的雄心，但其技术可行性仍面临巨大挑战。11.2纳米的波长并非行业标准，这意味着需要开发全新的反射镜、光学器件、光源、电源和光刻胶等一系列专用设备和材料，其研发难度和未知风险很高。此外，路线图中未详细阐述该非标准波长在实际应用中可能遇到的复杂性，这使得该计划的最终落地和商业化前景存在不确定性。

IT之家 9 月 28 日消息，据 Tom's Hardware 报道，俄罗斯科学院微结构物理研究所（由德米特里・库兹涅佐夫披露）公布了一项国产极紫外（EUV）光刻设备的长期路线图，该设备工作波长为 11.2 纳米，是对该机构去年 12 月披露信息的补充与延伸。新项目周期始于 2026 年，初期将采用 40 纳米制造技术，最终延伸至 2037 年，实现亚 10 纳米（sub-10nm）制程工艺。这份最新路线图相比以往部分规划更具现实可行性，但仍需证明其可执行性；此外，即便能够落地，该技术也可能不会用于商业用途。

最引人注目的一点是，拟研发的 EUV 系统并未复刻 ASML 设备的架构，而是计划采用一整套完全不同的技术方案：混合固态激光器、基于氙气等离子体的光源，以及由钌和铍（Ru / Be）制成的反射镜 —— 这类反射镜可反射 11.2 纳米波长的光线。与 ASML EUV 设备使用锡滴不同，俄罗斯方案选用氙气作为光源材料，可消除损害光掩模的碎屑，从而大幅降低设备维护需求。同时，相较于 ASML 的深紫外（DUV）设备，该方案通过降低系统复杂度，规避先进制程中所需的高压浸没式液体与多重曝光步骤。

IT之家注意到，该路线图包含三个主要阶段：

1、第一阶段（2026-2028 年）：研发可支持 40 纳米制程的光刻机，配备双反射镜物镜，套刻精度达 10 纳米，曝光场尺寸最大为 3×3 毫米，晶圆吞吐量超过 5 片 / 小时。

2、第二阶段（2029-2032 年）：推出可支持 28 纳米制程（具备升级至 14 纳米的潜力）的扫描光刻机，采用四反射镜光学系统，套刻精度提升至 5 纳米，曝光场尺寸为 26×0.5 毫米，吞吐量超过 50 片 / 小时。

3、第三阶段（2033-2036 年）：目标实现亚 10 纳米制程生产，采用六反射镜配置，套刻精度达 2 纳米，曝光场尺寸最大为 26×2 毫米，设计吞吐量超过 100 片 / 小时。

在分辨率方面，这些设备预计可覆盖 65 纳米至 9 纳米范围，能够满足 2025-2027 年间当下及未来众多关键层的制造需求。每一代设备均会提升光学精度与扫描效率，且据推测，其单位成本结构将显著低于 ASML 的 Twinscan NXE 与 EXE 平台。

值得注意的是，研发团队声称将极紫外技术应用于成熟制程（trailing nodes）可带来多项意外优势。但他们并未提及使用 11.2 纳米波长激光器所面临的复杂性，包括特殊的反射镜、专用的反射镜抛光设备、适配的光学器件、定制化光源、专用电源以及光刻胶等。而 11.2 纳米在极紫外光刻领域属于非行业标准波长。

总体而言，这份路线图或许勾勒出了俄罗斯通过规避传统 EUV 技术限制、实现芯片制造自主化的发展计划。但该计划的可执行性仍不明确，因为其需要实现对整个行业的技术跨越。该系列设备并非以超大规模晶圆厂的最大吞吐量为目标，而是旨在满足小型晶圆厂的高性价比需求。由于无需采用浸没式技术或锡基等离子体，这套俄罗斯光刻系统具备清洁、高效且可扩展的特点，或许还能吸引当前被排除在 ASML 生态之外的国际客户。若该项目完全落地，有望以显著更低的资本与运营成本，支撑国内外先进芯片的制造与出口。