韭研公社 09月26日
SiC半导体:技术突破与应用前景
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本文探讨了SiC作为第三代半导体材料的关键特性及其在新能源汽车、智能电网等领域的应用,并分析了12英寸SiC产品在降低成本方面的优势,以及浙江晶瑞SuperSiC中试线的产业链设备全覆盖。

SiC是第三代半导体材料的核心代表,因其耐高压、高频、高效等特性,广泛应用于新能源汽车、智能电网、5G通信等重点行业。同时,在AR设备、CoWoS先进封装中间基板等新兴应用领域,SiC也正逐步成为推动技术突破的关键材料。相较于8英寸产品,12英寸产品单片晶圆芯片产出量增加约2.5倍,能够在大规模生产中显著减少长晶、加工、抛光等环节的单位成本,是大幅降低下游应用成本的关键路径。 ■ 碳化硅产业链设备全覆盖 浙江晶瑞SuperSiC此次贯通的中试线,覆盖了晶体加工,切割,减薄,倒角,研磨,抛光,清洗

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