摩根大通分析指出，人工智能计算对高性能内存的巨大需求正推动存储行业进入结构性增长阶段。预计从2024年到2027年，DRAM市场将迎来一个前所未有的四年定价上行周期，市场规模有望在2027年达到近3000亿美元。高带宽内存（HBM）是本轮周期的核心驱动力，其价值和需求将平滑传统DRAM的价格波动。同时，NAND闪存市场也因企业级固态硬盘（eSSD）需求的激增和硬盘驱动器（HDD）的短缺而强劲复苏。AI相关应用预计将占据DRAM市场相当大的份额，促使存储芯片制造商增加资本支出以应对需求。

📈 **AI计算驱动内存需求**：人工智能计算的爆发式增长是推动存储行业进入结构性增长阶段的核心动力。特别是对高性能内存（如HBM）的需求激增，使得供应商在短期内难以满足所有需求，从而支撑价格持续走强，并为整个DRAM市场带来了前所未有的四年定价上行周期（2024-2027年）。

💾 **HBM成为DRAM市场稳定器**：高带宽内存（HBM）在高价值和强劲需求的支持下，正成为稳定DRAM市场价格周期性波动的关键因素。报告预测，到2027年，HBM在DRAM市场总价值中的占比将高达43%，有效提升了整个DRAM市场的利润底线，并预示着HBM4的推出将继续维持高平均售价。

🚀 **NAND市场复苏与eSSD的崛起**：在经历了长期的投资不足后，NAND闪存市场也迎来强劲复苏，主要得益于企业级固态硬盘（eSSD）需求的激增。传统硬盘驱动器（HDD）的严重短缺促使客户大规模转向eSSD，同时AI推理对数据读取速度的要求提升也凸显了NAND的结构性重要性，推动NAND价格进一步上涨。

🌐 **全球存储市场规模预测**：受AI计算、AI服务和边缘AI等多元化应用需求的驱动，摩根大通大幅上调了全球存储市场的规模预测。预计到2027年，全球存储市场规模将达到近3000亿美元，其中仅AI相关应用就将占据DRAM市场总有效市场规模（TAM）的53%。

💡 **产能扩张与技术竞争**：为应对激增的需求，存储芯片制造商计划在2026至2027年增加资本支出，优先进行DRAM产能扩张。在HBM领域，SK海力士在HBM4的竞争中处于领先地位，有望占据主要市场份额，而三星电子和美光则将争夺剩余订单，市场竞争日趋激烈。

在AI永不满足的需求驱动下，全球存储芯片市场正进入一场前所未有的“饥饿游戏”。

据追风交易台消息，摩根大通分析师Jay Kwon、Sangsik Lee等在近日发布的报告中表示，由云服务提供商引领的“内存饥渴”趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段。

报告指出，这一轮周期的核心驱动力来自AI计算对高性能内存的巨大需求，其影响已从高端的高带宽内存（HBM）迅速扩展至传统DRAM和NAND闪存。市场动态显示，供应商在未来12个月内可能难以满足全部需求，从而支撑价格持续走强。

这场行业变局不仅限于DRAM市场的价格复苏，NAND闪存市场同样在经历强劲反弹，部分原因是硬盘驱动器（HDD）出现严重短缺，迫使客户转向企业级固态硬盘（eSSD）。

因此，摩根大通大幅上调了全球存储市场的规模预测，将2025至2026年的全球存储市场总体有效市场规模（TAM）预测上调了6%至24%，并预计到2027年，市场规模将达到近3000亿美元。

HBM引领，DRAM迎来罕见长周期

报告明确指出，DRAM市场正迎来一个从2024年持续至2027年的“前所未有的四年定价上行周期”。这一罕见的长周期打破了过去数年“大起大落”的行业规律，其背后的稳定器正是HBM。

报告预测，到2027年，HBM在DRAM市场总价值中的占比将高达43%。HBM的高价值和强劲需求将有效平滑传统DRAM价格的周期性波动，从而抬高整个DRAM市场的利润底线。

报告认为，即使在2026年HBM3E产品可能因供应增加而降价，但由于下一代HBM4将享有约35%的溢价，混合HBM平均售价（ASP）在2026年仍不太可能下降。

竞争格局方面，SK海力士被认为在HBM4的竞赛中处于领先地位，有望比竞争对手更早获得英伟达的认证，这可能使其占据超过60%的市场份额。报告认为，三星电子和美光或将争夺剩余的HBM4订单。

全球存储市场规模或达3000亿美元

本轮存储芯片需求的广度是其核心特征之一。除了作为焦点的HBM，需求正向更多元化的应用扩展，共同加剧了供应紧张的局面。

报告强调，用于英伟达下一代Vera CPU的SOCAMM2内存模组，以及用于Rubin CPX GPU的GDDR7显存，都将成为拉动DRAM需求的新增长点。

AI推理、AI服务和边缘AI应用的兴起，要求通用服务器也必须升级内存配置，以获得更低的延迟和更优的功耗表现。

基于此，摩根大通大幅上调了全球存储市场的规模预测，将2025至2026年的全球存储市场总体有效市场规模（TAM）预测上调了6%至24%，并预计到2027年，市场规模将达到近3000亿美元。

报告预计，到2027年，仅AI相关应用就将占据DRAM市场 TAM的53%。为应对需求激增，存储芯片制造商预计将在2026至2027年将资本支出（Capex）提高7%至12%，其中DRAM的产能扩张将是优先事项。

NAND市场复苏强劲，eSSD成关键增长点

在经历了长达两年的投资不足后，NAND闪存市场也迎来了强劲的定价复苏。

报告分析，这一转变主要得益于企业级固态硬盘（eSSD）需求的激增。一个关键的外部因素是传统硬盘驱动器（HDD）的供应短缺。据媒体报道，部分近线HDD的交付周期已长达52周。这使得原本主要由HDD主导的近线存储市场，开始大规模将eSSD作为替代方案。

与此同时，随着AI模型从训练转向推理应用，对数据读取速度和延迟的要求变得更高，这使得NAND的结构性重要性日益凸显。

摩根大通预计，NAND价格仍有进一步上涨空间，其混合平均售价在2026财年将同比增长7%。报告同时补充称，虽然AI推理对存储的需求是结构性的，但其确定性不如HBM之于GPU计算，因此对NAND市场的长期前景持相对审慎乐观的态度。

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编辑/lambor