基于热导率、可行性等因素，SiC作为高功率AI芯片CoWoS中介层已成为主要可行方案。SiC热导率领先，能解决热量向下传导难题。尽管SiC衬底量产需时，但行业正加速布局，预计2030年市场规模将超500亿元，接近车规SiC市场。

🔥SiC热导率显著优于硅和玻璃，为300~490W/(m·K)，远高于硅的150W/(m·K)和玻璃的约1W/(m·K)，是解决高功率AI芯片向下热传导的关键。

🛠️高功率AI芯片单die单位面积功率高，如H100约0.86W/mm²，Rubin约1W/mm²，Feynman约1.2W/mm²，多die和HBM设计加剧热传导压力，使SiC的高导热性尤为重要。

🚀SiC作为interposer的产业化正加速，虽12吋衬底量产有挑战，但已在送样测试，行业正积极推进，部分衬底厂接获客户大量问询，市场潜力巨大。

📈市场对SiC需求存在误读，实际CoWoS产能与interposer需求基本一一对应。预计2026年CoWoS产能约90~110万片，对应interposer需求亦同，市场空间有望翻倍。

💰SiC市场空间有望再造一个车规SiC市场。按预测，2030年SiC interposer市场规模可达526亿元，接近2030年车规SiC的527亿元规模，产业链公司对应空间将大幅增长。

2025-09-13 23:58 广东

事件：根据产业封装、衬底调研，基于热导率、可行性等多种因素考虑，未来高功率AI芯片的CoWoS选择SiC作为中介层（interposer）基本已为主要的可行方案。

1、热导率领先当前可量产材料

- SiC 300~490W/（m·K）；

- 硅约 150W/（m·K）；玻璃约 1W/（m·K）。金刚石热导系数更高，但实际量产难度过大。

2、为什么热导率重要

目前向上传热已有液冷等多种方式进一步解决，但向下传热始终是难题，热量容易在局部堆积。

根据公开信息和KAIST，以单die维度，H100单位面积功率约0.86w/mm²，Rubin 约1w/mm²，下一代Feynman约1.2w/mm²。

伴随着多die和更多HBM的设计，热传导的压力进一步加大，因此热导率变得更加关键。

3、可行性上更为领先

SiC的难点目前在于12吋衬底，大规模量产还需要一定时间。

从导热、应力、量产化等多个角度看，其他方案目前看来还达不到理论上完全可行，而SiC方案已经在安排12吋衬底的送样，主要等SiC的12吋产业化，目前看其他环节没有太多阻碍。

4、行业正加快重视相关布局

SiC做interposer从两三年前开始研发，近期推动送样测试。

近期发酵也利于快速推动12吋的产业化，因为一旦大规模使用，目前12吋的产能缺口是巨大的。

部分衬底厂接到了不少客户关于这方面的问询，对于这个巨大的增量，产业链正积极推进。

5、市场存在误读，实际需求巨大

此前市场误解以12吋片计的CoWoS产能与interposer需求量关系，实际基本可以理解为一一对应，如按目前市场预测，26年CoWoS产能约为90~110万片，理论对应interposer需求量也约为90~110万片。

6、市场空间有望翻倍，再造SiC行业

我们认为从产业端、行业媒体等多维度都在肯定SiC作为未来CoWoS的重要增量，按我们此前测算，仅T的CoWoS增量就有望超越车规市场，SiC市场空间有望翻倍。

根据产业链调研，结合Fubon、Yole、Precedence等预测数据推演：

如SiC顺利成为未来台积电CoWoS、SoW等先进封装的中介层（interposer）材料，市场有望在2030年超过500亿元，接近2030车规SiC市场规模。

- 如按27年143万片产能、35%的CAGR、30年2万元/片的12吋碳化硅价格、75%使用率。

- 至2030年市场规模有望为： 143*2*75%*1.35^4=526亿元。

- 2030年车规SiC的市场规模约527亿元，相当于重新再造了同样规模的SiC市场。

CoWoS对SiC的需求量远不止此前认为的几十亿市场，市场将逐步认知到SiC在AI领域的全新机遇，新增需求有望超出目前市场对SiC固有的认知。如市场空间翻倍，产业链公司对应空间也有望大幅增长。

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