台积电最新公布的先进工艺路线图显示，其下一代1.4纳米（A14）工艺研发进展顺利，良率表现超预期。与即将推出的2纳米（N2）工艺相比，A14在性能、功耗和密度方面均有显著提升。在相同功耗下，速度可提升15%；在相同速度下，功耗降低30%；晶体管密度提高20%。这些进步得益于第二代GAAFET纳米片晶体管技术和全新的NanoFlex Pro标准单元架构。台积电计划于2028年投产A14工艺，为苹果、英伟达、AMD等客户提供清晰的技术升级路径。

🌟 **A14工艺研发取得突破性进展**：台积电确认其1.4纳米（A14）工艺的研发进程十分顺利，关键的良率表现已提前达到内部预期，为后续量产奠定了坚实基础。

🚀 **性能、功耗与密度实现全面飞跃**：相较于即将推出的N2（2纳米）工艺，A14工艺在保持功耗不变的情况下，运行速度可提升15%；在速度相同时，功耗可降低高达30%；同时，晶体管密度将提高20%，意味着芯片能在更小的空间内集成更多功能。

💡 **底层技术革新驱动性能提升**：A14工艺的显著进步得益于采用了第二代GAAFET（全环绕栅极）纳米片晶体管技术，该技术能更有效地控制电流，减少漏电；并结合全新的NanoFlex Pro标准单元架构，进一步优化了芯片设计，实现了更高的集成度。

🗓️ **清晰的未来投产规划**：台积电计划在2028年实现A14工艺的量产，这一明确的时间表为苹果、英伟达、AMD等高度依赖先进制程的客户提供了宝贵的技术升级路线图，有助于其进行长远的产品规划和研发投入。

IT之家 9 月 25 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（9 月 24 日）发布博文，报道称台积电公布了其先进工艺路线图的最新进展，确认下一代 A14（1.4 纳米）工艺的研发进程顺利，其关键的良率表现甚至已经提前达到内部预期。

具体来看，A14 工艺相较于即将推出的 N2（2 纳米）工艺，实现了性能、功耗和密度的全面跃升。IT之家援引官方数据如下：

在功耗保持不变的情况下，A14 工艺的运行速度将提升 15%；

在速度相同时，功耗可降低高达 30%；

其晶体管密度也将提高 20%，使芯片能够在更小的空间内容纳更多功能单元。

这些显著的性能提升得益于底层技术的革新。台积电透露，A14 工艺将全面采用第二代 GAAFET（全环绕栅极）纳米片晶体管技术，并结合全新的 NanoFlex Pro 标准单元架构。

GAAFET 技术能够更有效地控制电流，减少漏电，从而在提升性能的同时控制功耗。而新的架构则进一步优化了芯片设计，实现了更高的集成度，共同驱动了 A14 工艺的突破。

展望未来，台积电计划在 2028 年投产 A14 工艺，该时间点也为苹果、英伟达、AMD 等高度依赖先进制程的客户提供了清晰的技术升级路线图。