美光在近期财报会议上披露了其 HBM4 和 HBM4E 内存技术的最新进展。HBM4 内存的基础逻辑裸片将采用美光自研 CMOS 工艺，而更先进的 HBM4E 则将委托台积电代工，预计 2027 年商业化。美光将为 HBM4E 提供标准和定制化两种基础逻辑裸片方案，定制化有望带来更高毛利率。针对 HBM4，美光已向客户出样 11Gbps 速率产品，以满足高于 JEDEC 规范的需求。美光与客户就 2026 年 HBM3E 供应达成价格协议，HBM4 供应谈判积极进行，首批 HBM4 产品将于明年二季度出货。此外，美光在 LPDDR5x、服务器 DRAM、EUV 光刻机应用及 NAND 固态硬盘方面也取得重要进展，并预计 2026 年 DRAM 市场将持续供应紧张。

💡 **HBM4/HBM4E 内存技术路线图：** 美光确认 HBM4 内存的基础逻辑裸片（Base Logic Die）将采用内部 CMOS 工艺，而 HBM4E 则将转向由台积电代工。HBM4E 预计在 2027 年左右实现商业化，届时将提供行业标准型和客户定制型两种基础逻辑裸片解决方案，其中定制型有望提升毛利率。

🚀 **HBM4 性能提升与供应规划：** 针对 HBM4，美光已回应部分客户对高于 JEDEC 规范的传输速率需求，并向客户出样了 11Gbps 速率的 HBM4 产品。美光首批 HBM4 生产出货计划于明年二季度实现，目前正积极与客户就 2026 年的供应量进行谈判。

📈 **HBM3E 供应协议与市场展望：** 美光已与几乎所有客户就 2026 年绝大多数 HBM3E 供应量达成价格协议，显示出其在当前 HBM 市场中的稳固地位。展望 2026 年，美光预计行业内将继续面临 DRAM 内存供应紧张的局面，同时 NAND 市场条件将持续走强。

💡 **其他存储产品线进展：** 除 HBM 外，美光在 2025 财年第四季度还完成了 10667MT/s 1-beta LPDDR5x 的 OEM 认证，取得了首笔 1-gamma 服务器 DRAM 收入，并在日本广岛生产基地安装了用于 1-gamma DRAM 制造的首台 EUV 光刻机，同时其性能级和主流级 G9 NAND 固态硬盘也通过了 OEM 客户认证。

IT之家 9 月 24 日消息，美光在 2025 财年第四财季及全财年财报电话会议上确认，该企业在 HBM4 内存堆栈底部的基础逻辑裸片（IT之家注：Base Logic Die）上采用的是内部 CMOS 工艺，而在 HBM4E 上该芯片将转由台积电代工。

美光表示 HBM4E 内存预计在 2027 年左右正式商业化，美光将在该世代提供行业标准型和客户定制型两类基础逻辑裸片解决方案以满足不同的需求，而定制型 HBM4E 有望带来更高的毛利率。

而对于离现在更近的 HBM4，美光确认部分客户对这一内存产品提出了高于 JEDEC 规范的每引脚 10Gbps 传输速率带宽要求，美光最近向客户出样了 11Gbps 速率的 HBM4。

针对整体 HBM 销售和供应，美光已与几乎所有客户就 2026 年绝大多数 HBM3E 供应量达成价格协议，而美光的 2026 年 HBM4 供应谈判正在积极进行，有望在未来数月达成；美光的首批 HBM4 生产出货将在明年二季度实现。

至于非 HBM 的其它存储产品线，美光宣布该企业在 2025 财年第四财季完成首批 10667MT/s 1-beta LPDDR5x 的 OEM 认证、取得首笔 1-gamma 服务器 DRAM 收入、在日本广岛生产基地安装首台用于 1-gamma DRAM 制造的 EUV 光刻机、性能级和主流级 G9 NAND 固态硬盘通过 OEM 客户认证。

展望 2026 年，美光预计行业内将继续出现 DRAM 内存供应紧张情况，同时 NAND 市场条件将持续加强。