SK海力士在其清州M15X工厂部署全新的1b DRAM试生产线，以满足激增的高带宽存储器（HBM）需求。该生产线预计11月完成设备安装，初期月产能为一万片晶圆。此举显示了SK海力士和美光在AI驱动的存储器市场中，选择1b DRAM作为技术路径的策略。与此同时，存储器价格普遍上涨，SK海力士正与客户商讨调价。美光已宣布DRAM价格上涨20%-30%，三星也计划在第四季度将DRAM合同价格提高15%-30%。NAND产品价格亦有显著增长，eMMC与UFS预计上涨5%-10%。TrendForce预测，企业级SSD供应链可能在2026年面临紧张，AI推理应用将驱动强劲需求至2027年。

🚀 SK海力士正加速高带宽存储器（HBM）的生产部署，通过在其清州M15X工厂安装一条全新的1b DRAM试生产线来应对市场需求。该生产线计划于11月完成设备安装，初期月产能预计达到一万片晶圆，显示出公司在AI驱动的存储器市场中积极扩张的决心。

📈 存储器市场价格呈现普遍上涨趋势。SK海力士正与客户洽谈价格调整事宜，而美光已率先通知渠道伙伴DRAM价格将上涨20%至30%。三星也计划在第四季度将主要DRAM合同价格提高15%至30%，NAND产品如eMMC和UFS预计也将上涨5%至10%，反映了市场供需关系的变化。

💡 各大存储器厂商在技术路线和市场策略上有所分化。SK海力士和美光选择了1b DRAM架构，而三星则专注于面向HBM4应用的1c DRAM技术。这种策略差异凸显了抢占AI存储市场份额的紧迫性，并预示着未来技术竞争的焦点。

🔮 TrendForce预测，随着QLC SSD产能的持续提升，企业级SSD供应链在2026年可能出现紧张态势。AI推理等应用有望驱动强劲需求，并将这种增长势头延续至2027年，表明AI对存储器市场的长期影响正在显现。

SK海力士（SK Hynix）正在其清州M15X工厂安装一条全新的1b DRAM试生产线，以应对不断攀升的高带宽存储器（HBM）需求。据The Bell消息，设备安装计划于今年11月完成，试生产线初期预计月产能达到一万片晶圆。

业内分析指出，面对人工智能带动的存储器市场扩张，SK海力士和美光（Micron）选择1b DRAM架构作为技术路线，而三星则专注于面向HBM4应用的1c DRAM技术。各大厂商策略分化，凸显抢占AI存储市场份额的紧迫性。

另一方面，存储器价格调整已成行业普遍现象。TrendForce援引SeDaily和Business Korea消息称，SK海力士目前正在与客户洽谈价格，但尚未有正式公告，公司正根据市场趋势动态调整售价。美光本月初率先通知渠道伙伴DRAM价格将上涨20%至30%；随后，三星也告知主要客户第四季度DRAM合同价格（包括LPDDR4X及LPDDR5/5X等型号）将提高15%至30%。NAND产品涨价同样明显，合同价格方面，eMMC与UFS预计上涨5%至10%。

TrendForce预测，随着QLC SSD产能持续攀升，企业级SSD供应链在2026年可能出现紧张态势，AI推理类应用有望将强劲需求延续至2027年。更多详情可参见TrendForce、Se Daily、Aju News与Business Korea的相关报道。

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