🌟 三星HBM3E获英伟达认证：经过18个月的漫长测试和多次改进，三星电子的12层HBM3E高带宽存储芯片终于通过了英伟达的资格测试。此前，三星的HBM3E芯片已获得AMD的认可并出货，但英伟达的认证是其进入高端AI加速器供应链的关键一步，这不仅恢复了三星在存储芯片领域的技术信誉，也为其在AI算力市场赢得了重要的一席之地。此次成功主要归功于对DRAM核心的重新设计，有效解决了热性能问题。

🚀 HBM4市场竞争白热化：随着HBM3E的认证，三星电子正全力备战下一代HBM4内存。英伟达计划在明年的新架构中采用HBM4，并对供应商提出了更高的要求，包括将数据传输速度提升至每秒超过10Gb。三星计划采用其最先进的10纳米级DRAM制程和4nm逻辑芯片，并已展示了达到11Gbps的能力，在速度上领先于SK海力士的10Gbps，而美光科技在此方面面临挑战。三星正积极向英伟达出货HBM4样品，力争尽早获得认证。

📈 竞争对手的动态与市场格局：三星的HBM3E认证以及对HBM4的积极布局，加剧了与SK海力士和美光科技在高性能存储器市场的竞争。SK海力士已完成HBM4的内部验证并准备量产，宣称其产品在带宽和能效上均有显著提升，并已带动公司股价大幅上涨。美光科技也已向客户交付HBM4 36GB芯片样品。三星能否在HBM4的竞争中抢占先机，将对其未来的市场份额产生重要影响，但作为第三家获批的HBM3E供应商，英伟达初期的订单量可能相对有限，更多体现的是技术实力的恢复而非营收的爆发。

周五晚间的最新市场消息称，经历多次挫折后，三星电子的12层HBM3E高宽带存储芯片终于获得算力巨头英伟达的首肯。

据知情人士透露，三星的第五代12层HBM3E近期刚通过英伟达的资格测试。这一批准距离三星完成芯片开发已有18个月之久，期间的数次测试均未能满足英伟达苛刻的性能要求。

技术资料显示，英伟达的旗舰B300人工智能加速器，以及AMD的MI350等系统均部署这种大容量存储芯片。三星此前已经向AMD出货该芯片，但一直卡在英伟达的供应商门槛前。因此，这一认证也有恢复三星技术信誉的重要作用。

业内人士透露，这一成就很大程度上归功于三星电子芯片业务负责人全永贤年初拍板重新设计HBM3E的DRAM核心，解决了早期版本的热性能问题。

但由于三星是SK海力士、美光科技后第3家获得批准的供应商，消息人士称英伟达的订单量仍会相对较少。因此一位业界高管评价称：“供货英伟达对于三星而言，更多是关乎自豪感，而非营收。得到英伟达的认可意味着其技术已重回正轨。”

HBM4战火猛烈

三星电子的归位，也意味着HBM4的大战全面升温。

作为第六代高带宽内存，英伟达计划在明年上市的下一代Vera Rubin架构上使用这种芯片。

据悉，三星计划采用其最先进的10纳米级（1c）DRAM制程，并配备由其代工厂生产的4nm逻辑芯片。其他竞争对手采用的是上一代1b制程和12纳米逻辑芯片。

作为关键竞争指标，英伟达已经要求供应商将HBM4的数据传输速度推高至每秒超过10Gb，大幅高于8Gb的行业标准。知情人士透露，三星已经展示了达到11Gbps的能力，高于SK海力士的10Gbps，而美光科技则难以满足这一要求。

知情人士透露，三星计划本月向英伟达大量出货HBM4样品，旨在尽早获得认证。公司此前曾表示，正在与英伟达、博通以及谷歌等主要AI芯片厂商就HBM4进行洽谈，最早可以在2026年上半年开始大规模出货。

如果能够在HBM4的竞争中尽早获得英伟达认证，三星有望在这一关键存储器细分市场上夺回市场份额。

作为三星的关键竞争对手，SK海力士上周五表示，已完成HBM4的内部验证和质量保证流程，并准备大规模量产。公司表示，其产品相比上一代实现了带宽翻倍、能效提高40%。受此消息推动，SK海力士上周累计大涨超20%，本周又上涨7.46%，使得今年以来的涨幅达到102%。

美光科技也在6月10日宣布，已向多家关键客户交付12层HBM4 36GB芯片样品。