三星电子在第九代（V9）高容量 QLC NAND 的商用化进程中遭遇挑战，原计划的大规模商用时间已被推迟至 2026 年上半年。尽管三星已于 2024 年 4 月开始量产 V9 TLC NAND，并在 9 月份量产了 V9 QLC NAND，但初期产品被发现存在设计缺陷，导致性能下降，迫使三星延后其上市计划。目前，三星在 QLC 领域面临竞争压力，其旗舰 QLC NAND 仍停留在 V7 代，而 SK 海力士已率先量产了 321 层、2Tb 的 QLC NAND，并在性能和功耗效率上表现出显著优势。三星在 TLC 领域虽有进展，但 QLC NAND 的商用化难题仍需克服。

💡 **V9 QLC NAND 商用化受阻**：三星电子在第九代（V9）高容量 QLC NAND 的大规模商用化进程中遇到技术障碍，原定计划已被推迟至 2026 年上半年。尽管 V9 TLC NAND 已于 2024 年 4 月量产，V9 QLC NAND 也于 2024 年 9 月开始量产，但初期产品因设计缺陷导致性能下降，不得不延后上市。

🚀 **QLC 领域面临竞争压力**：三星在 QLC NAND 市场面临来自竞争对手的挑战。目前，三星的旗舰 QLC NAND 产品仍停留在 V7 代，而 V8 代尚未推出 QLC 版本。相比之下，SK 海力士已成功研发并量产了 321 层、2Tb 的 QLC NAND，该产品在数据传输速度、写入性能、读取性能以及功耗效率方面均有显著提升，尤其在对低功耗要求极高的 AI 数据中心领域更具竞争力。

📈 **TLC 与未来展望**：三星在 TLC NAND 领域亦有技术进展，于今年 2 月发布了超过 400 层的 V10 级 1Tb TLC NAND，但尚未公布具体的商用时间表。日本铠侠（Kioxia）也计划在 2025 年初展示 V10 级 332 层 NAND，但同样未进入量产阶段。三星在 QLC NAND 商用化上的延迟，为竞争对手提供了追赶和超越的机会。

IT之家 9 月 17 日消息，科技媒体 ZDNet Korea 昨日（9 月 16 日）发布博文，报道称三星电子在第九代（V9）高容量 QLC NAND 商用化上遇到阻碍，导致大规模商用计划推迟至 2026 年上半年。

IT之家援引博文介绍，三星已经于 2024 年 4 月开始量产 V9 NAND，首批产品采用 TLC（三层单元）结构，容量达到 1Tb；随后于 2024 年 9 月，三星开始量产更高容量的 V9 QLC（四层单元）NAND。

不过消息源从多方渠道获悉，初期 V9 QLC 产品存在设计缺陷，造成性能下降，迫使公司推迟上市。尽管三星仍然占据整个 NAND 市场的主导地位，但在 QLC 领域却落后了。报告指出，其旗舰 QLC NAND 产品仍停留在 V7 代，而 V8 尚未发布 QLC 版本。

与之形成对比的是，SK 海力士在 8 月底宣布完成 321 层、2Tb QLC NAND 的研发并量产，成为全球首款超过 300 层的 QLC 产品。据公司介绍，该产品数据传输速度是前代的两倍，写入性能提高 56%，读取性能提升 18%，写入功耗效率增加 23%，在低功耗至关重要的 AI 数据中心具备更强竞争力。

报道还提到，三星在今年 2 月发布了超过 400 层的 V10 级 1Tb TLC NAND，但尚未公布商用时间表。日本铠侠（Kioxia）则在 2025 年初展示了 V10 级 332 层 NAND，但同样尚未进入量产阶段。