英特尔首席财务官David Zinsner在花旗银行2025年全球TMT大会上透露，14A工艺节点成本将高于18A，主要因采用高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备。尽管投资规模增幅不大，但晶圆制造单位成本显著提升。为收支平衡，英特尔可能需提高晶圆售价，特别是计划对外客户开放时。14A节点将带来重大能效提升，每瓦性能比18A高15-20%，功耗降低25-35%。技术革新包括RibbonFET 2、全环绕栅极晶体管和PowerDirect电源网络优化。此外，“Turbo Cells”涡轮单元有助于提升CPU和GPU频率，缩短关键时序路径。

🔍 高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备是14A节点成本增加的关键因素，单台设备售价高达3.8亿美元，显著推高晶圆制造的单位成本。

💡 14A节点将带来重大能效提升，每瓦性能比18A高约15-20%，功耗降低25-35%，通过RibbonFET 2、全环绕栅极晶体管和PowerDirect等技术实现。

⚡ 'Turbo Cells'涡轮单元的引入有助于缩短关键时序路径，在不大幅增加面积和功耗的情况下提升CPU和GPU频率，优化性能表现。

💰 为实现收支平衡，英特尔可能需提高14A节点的晶圆售价，尤其是计划对外客户开放时，以弥补高成本投入。

🔬 14A节点未来扩展将更依赖高级光刻工具提升分辨率，减少对多重图案化的依赖，技术演进方向与18A节点有所不同。

在花旗银行2025年全球TMT大会上，英特尔首席财务官David Zinsner就公司下一代14A工艺节点的经济性发表讲话。据Zinsner介绍，14A节点的成本将高于18A。虽然在投资规模上提升幅度不大，但晶圆制造的单位成本显著增加，主要原因在于14A节点将采用高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备——而18A节点尚未使用这一技术。

高数值孔径EUV设备如Twinscan EXE:5200B，每台售价高达3.8亿美元。英特尔需要相应提高晶圆售价以实现收支平衡，特别是如果14A节点计划对外部客户开放的话。

英特尔称，14A节点将带来重大能效提升，其每瓦性能将比18A高约15-20%，功耗则降低25-35%。技术演进方面，14A结合了包括RibbonFET 2在内的多项工艺革新，该架构升级了全环绕栅极晶体管；PowerDirect则将电源网络转到芯片背面，使供电更直接。此外，14A还引入了“Turbo Cells”涡轮单元，这些更高的高驱动单元被布置在紧凑的标准单元库中，有助于缩短关键时序路径，在不大幅增加面积和功耗的情况下提升CPU和GPU的频率。

与此不同，18A节点未来的扩展将更依赖高级光刻工具提升分辨率，从而减少对多重图案化的依赖。