华为可能将在今年四季度推出新的麒麟处理器，其中麒麟9030或采用5nm工艺。供应链人士透露，美国制裁已不起作用，麒麟处理器将全部国产。据博主爆料，国产N+3工艺或达125MTr/mm，相当于台积电5.5nm水平。中芯国际的N+3工艺晶体管密度达125亿/mm²，性能功耗表现对标台积电N7P和N6工艺，能效略逊于N5/N4工艺。

🔍 华为预计今年四季度将推出新麒麟处理器，其中麒麟9030或采用5nm工艺，展现国产芯片技术的突破。

🚀 国产N+3工艺或达125MTr/mm，相当于台积电5.5nm水平，中芯国际的N+3工艺晶体管密度达125亿/mm²，标志着国产芯片制造能力的提升。

⚡ 尽管N+3工艺性能功耗表现对标台积电N7P和N6工艺，能效略逊于N5/N4工艺，但这一进步已足够打破多项技术瓶颈，为国产芯片发展奠定基础。

快科技9月5日消息，既然华为已经公布了麒麟9020，那么9030还会远吗？

现在，有供应链人士表示，华为今年四季度会有新的麒麟处理器公布，其会有几个型号。

按照专业人士的说法，既然敢公布麒麟处理器的名字，就可以确认全部国产，美国的制裁已经不起作用了，确实要赞。

那么麒麟9030会是怎样的呢？按照之前鲲鹏930曝光的细节看，其有可能会使用5nm工艺。

之前就有博主爆料称，外界盛传的国产N+3（外界盛传达到125mtr）工艺消息大概率是靠谱的，因为专利显示的H210G56指标，计算下来就是125mtr的布线密度。

博主表示，如果真成了，那也意味着国产5nm工艺就达成稳了。

据悉，中芯国际的N+3工艺具有显著的晶体管密度，达到了125MTr/mm（即每平方毫米125亿个晶体管）。这一密度介于台积电的N6（113MTr/mm）与三星早期的5nm（127MTr/mm）工艺之间，相当于台积电的5.5nm工艺水平。

若以14nm工艺为基点（密度约35MTr/mm），N+3的密度提升幅度超过了250%，这标志着中芯国际在FinFET架构上的持续优化能力。

尽管N+3的命名容易让人联想到“等效5nm”，但其实际性能功耗表现对标的是台积电的N7P（7nm增强版）和N6工艺。

这意味着在相同晶体管数量下，中芯国际N+3的能效可能比台积电的N5/N4工艺落后约15%~20%，这主要受限于EUV光刻机的短缺导致的工艺复杂度不足。然而，对于长期依赖成熟制程的国产芯片而言，这一进步已经足够打破多项技术瓶颈。

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责任编辑：雪花

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