在CSEAC 2025展会上，中微半导体设备（上海）股份有限公司展示了六款新型半导体制造设备，覆盖刻蚀、原子层沉积（ALD）和外延等关键工艺。新一代极高深宽比刻蚀设备Primo UD-RIE在现有基础上全面升级，采用多项创新技术，提升了刻蚀精度和良率，特别是在晶圆边缘区域。此外，还推出了专为金属刻蚀设计的Primo Menova 12英寸ICP刻蚀设备。在ALD领域，Preforma Uniflash 12英寸ALD设备金属栅系列，包含TiN、TiAl和TaN三个子系列，采用双反应台设计，显著提升生产效率。在外延工艺方面，全球首套双腔减压外延设备PRIMIO Epita RP以其紧凑的反应腔体积和灵活的配置，降低了生产成本并提高了效率。

✨ **高性能刻蚀技术升级：** 中微半导体推出的新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备Primo UD-RIE，在成熟的Primo HD-RIE基础上进行了全面升级。该设备配备了更强的射频偏压电源和多项自主研发的创新技术，如动态边缘阻抗调节系统和多区控温系统，旨在大幅提升晶圆边缘区域的刻蚀良率，以满足高深宽比刻蚀对精度和效率的严苛要求。

🚀 **多领域应用刻蚀设备：** 另一款重要的刻蚀新品是Primo Menova 12英寸ICP单腔刻蚀设备，该设备专注于金属刻蚀，特别是铝线和铝块的加工。其设计能够广泛应用于功率半导体、存储器以及先进逻辑芯片的制造，展现了中微在满足不同半导体领域刻蚀需求方面的能力。

💡 **先进ALD金属栅工艺解决方案：** 在原子层沉积（ALD）领域，中微推出了Preforma Uniflash 12英寸ALD设备的金属栅系列，涵盖TiN、TiAl和TaN三个子系列。该系列产品采用公司自主研发的双反应台设计，最多可配置五个双反应台反应腔，有效提升了生产效率，满足先进逻辑芯片和存储器件在金属栅工艺上的多样化需求，达到了行业领先水平。

🌿 **创新外延设备降低成本：** 中微发布了全球首套双腔减压外延设备PRIMIO Epita RP，该设备以其全球最小的反应腔体积和灵活的配置能力（最多可配置6个反应腔）脱颖而出。通过减少耗材使用量，该设备不仅显著降低了生产成本，还提高了整体生产效率，为外延工艺提供了更优化的解决方案。

2025-09-05 11:40:20  作者：狼叫兽

在 CSEAC 2025 第十三届半导体设备与核心部件及材料展上，中微半导体设备（上海）股份有限公司推出了六款全新的半导体制造设备，涵盖刻蚀、原子层沉积（ALD）和外延工艺等多个关键环节。

其中，新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备 Primo UD-RIE 是基于成熟的 Primo HD-RIE 结构进行全面升级的成果。该设备配备六个单反应台反应腔，采用更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更强的离子轰击能量，从而满足高深宽比刻蚀对精度和效率的高标准要求。此外，该设备还引入了多项自主研发的创新技术，包括动态边缘阻抗调节系统、上电极多区温控系统、可切换温度的多区控温静电吸盘以及主动控温边缘组件，有效提升了晶圆边缘区域的刻蚀良率。

另一款刻蚀新品是 Primo Menova 12 英寸 ICP 单腔刻蚀设备，专为金属刻蚀特别是铝线和铝块加工设计。该设备可广泛应用于功率半导体、存储器及先进逻辑芯片制造领域。

在原子层沉积方面，公司推出了 Preforma Uniflash 12 英寸 ALD 设备的金属栅系列，包含 TiN、TiAl 和 TaN 三个子系列，能够满足先进逻辑芯片和存储器件在金属栅工艺中的多样化需求。该系列产品采用公司自主研发的双反应台设计，系统最多可配置五个双反应台反应腔，显著提升了生产效率，达到行业领先水平。

在外延工艺方面，公司发布了全球首套双腔减压外延设备 PRIMIO Epita RP。该设备具有全球最小的反应腔体积，最多可配置 6 个反应腔，具备灵活的生产能力。通过减少耗材使用量，有效降低了生产成本，同时提高了整体生产效率。