韭研公社 09月05日
SiC替代硅,英伟达下一代CoWoS封装革新
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本文探讨了英伟达新一代Rubin芯片可能采用单晶SiC作为CoWoS封装中间层,以及MicroLED技术在高性能传输中的应用及其优势。

【SiC用于CoWoS基板] 单晶SiC相比硅能够实现更高的导热率、缩小 CoWoS封装体积,因而英伟达或将新一代Rubin中CoWoS封装的中间层换成SiC。 相关标的:天岳先进、露笑科技 【MicroLED] 采用Micro LED多通道并行架构(如微软MOSAIC方案),单通道速率2Gbps,通过增加通道数实现800G/1.6T高速传输。工作电压仅数百毫伏,功耗较传统激光器降低68%,传输距离可达50米,且支持冗余设计(10%-20%芯片冗余提升可靠性)。 相关标的:兆驰股份、三安光电 【

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