🇰🇨 国产HBM内存发展提速：中国正积极推进HBM内存的国产化进程，以满足日益增长的AI计算需求。长江存储计划进入DRAM领域，并寻求与长鑫存储合作，共同攻克HBM技术瓶颈。

🤝 技术优势互补：长鑫存储具备扎实的DRAM内存技术基础，而长江存储拥有领先的Xtacing晶栈工艺，理论上可应用于内存的键合与封装，这对于不断迭代的HBM技术尤为关键，有助于提升带宽和改进散热。

🚀 HBM技术研发进展：长鑫存储在HBM2技术上已取得重大突破，向客户送样，并预计明年年中实现小规模量产。同时，公司正积极推进HBM3和HBM3E的研发，目标在2026-2027年实现量产。

🌐 产业链协同发力：中国厂商正通过联合研发来推动HBM技术进步，长江存储和武汉新芯专注于开发封装技术，通富微电子则在组装环节贡献力量，形成产业链协同效应。

快科技9月3日消息，毫无疑问，中国一直在努力推进国产化HBM内存，毕竟这对于AI计算是至关重要的。

根据DigiTimes的最新报道，长江存储正积极准备进入DRAM内存领域，并寻求与长鑫存储合作，共同攻克HBM内存技术难关。

报道称，双方堪称天作之合，因为长鑫存储有扎实的DRAM内存技术基础，长江存储则有领先的Xtacing晶栈工艺，理论上也可以用于内存的键合与封装，尤其是随着HBM的不断迭代，混合封装是提升带宽、改进散热的关键所在。

有关报告显示，长鑫存储在HBM2上取得了重大突破，已经给客户送样，预计明年年中可小规模量产。

同时，长鑫存储出还在积极推进HBM3，预计最快2026-2027年即可搞定，甚至能同步做到HBM3E。

还有报道称，中国厂商正在HBM技术上联合起来，比如长江存储、武汉新芯开发封装技术，通富微电子则在组装环节贡献力量。

相比SK海力士、三星、美光三大原厂，中国HBM技术虽然差距依旧很大，但追赶的速度非常快。