高盛报告指出，中国国产光刻机在半导体制造领域与国际巨头ASML存在较大差距，目前仅能生产65nm工艺芯片，落后约20年。尽管中芯国际已能生产7nm芯片，但可能依赖ASML的旧款DUV设备，中国尚不具备制造先进光刻机的能力。ASML最新的High-NA EUV光刻机已交付给Intel、台积电、三星，对1.4nm以下工艺至关重要，且价格昂贵。高盛认为，考虑到技术、研发投入、产业链及地缘因素，中国国产光刻机短期内难以追赶西方先进水平。ASML业绩表现强劲，显示其行业领先地位。

🔬 国产光刻机技术瓶颈：高盛报告指出，中国国产光刻机目前仅能支持65nm工艺的芯片制造，与国际领先的ASML在EUV（极紫外）光刻技术上存在约20年的技术代差。这表明中国在半导体制造的核心设备方面仍面临严峻挑战，尤其是在高端芯片制造领域。

💡 中芯国际与ASML的合作：报告提及，中芯国际能够生产7nm工艺芯片，但极有可能依赖的是ASML早期推出的DUV（深紫外）光刻机。这侧面反映了中国在自主研发和制造先进光刻机方面的能力尚不成熟，对外部先进设备仍有较大依赖性。

🚀 ASML的EUV技术领先地位：ASML最新的High-NA EUV光刻机是当前半导体制造最尖端的技术，对1.4nm及以下的先进制程至关重要，已开始交付给Intel、台积电和三星等行业巨头。这款设备集成了巨额研发投入（400亿美元）和长达20年的技术积累，单台价格超过4亿美元，其技术门槛和成本极高。

🌐 追赶的长期性与复杂性：高盛分析认为，中国国产光刻机要在短期内追赶西方先进水平几乎不可能。这不仅是因为技术差距，还涉及巨大的研发投入、全球复杂且高度集成的半导体产业链，以及地缘政治等多种复杂因素，中国的半导体产业发展之路依然漫长且充满挑战。

📈 ASML的强劲业绩：报告最后提供了ASML的最新财务数据，显示其销售额和利润均实现显著增长，毛利率高达53.7%。这进一步印证了ASML在全球光刻机市场的垄断地位和其技术的领先性与高附加值。

快科技9月2日消息，近些年，我国在半导体芯片领域不断努力追赶，但差距依旧比较大，也是被卡脖子最严重的科技产业。

根据著名投资银行高盛最新发布的报告，他们认为中国的国产光刻机只能生产65nm工艺的芯片，相比国际巨头ASML落后足足有大约20年！

高盛称，虽然中芯国际已经可以生产7nm工艺芯片，但极有可能还是利用了ASML比较老旧的DUV深紫外光刻机，因为中国还不具备制造这种设备的能力，更别提ASML已经发展了两代EUV极紫外光刻机。

目前，ASML最新的High-NA EUV光刻机已经开始交付给Intel、台积电、三星，对于1.4nm以下的工艺至关重要。

它重达180吨，体积如同双层巴士，堪称全球最昂贵的半导体制造设备，同时也是最贵的，单台价格估计超过4亿美元。

高盛还指出，ASML光刻机从65nm发展到3nm及以下，用了长达20年的时间，投入了400亿美元的研发与资本费用。

因此高盛认为，综合考虑中国当前的半导体技术水平、先进工艺研发的巨大投入、全球产业链的复杂性、高风险的地缘因素，中国国产光刻机不可能在短期内追上西方先进水平。

2025年第二季度，ASML销售额达77亿欧元，同比增长23.2％，毛利率达到53.7％，净利润23亿欧元，同比增长45.2％。

嗯，你们就继续认为自己依旧遥遥领先就好了……