高盛报告指出，中国光刻技术与荷兰ASML等西方同行存在约20年的差距，光刻技术是高端芯片制造的关键瓶颈。由于依赖美国原产零部件，ASML的光刻机对华销售受到美国政府限制。华为因制裁无法从台积电获取芯片，转而依赖中芯国际，但中芯国际也受制于无法获得最先进的EUV光刻机，只能使用较旧的DUV设备以更高成本生产7纳米芯片。中国本土光刻设备制造商目前处于65纳米工艺阶段，要达到ASML先进水平尚需时日，高盛认为其研发投入和时间积累仍需20年。

💡 **技术差距显著，光刻为关键瓶颈**：高盛报告评估中国光刻技术与ASML等领先企业存在约20年的差距。光刻技术在芯片制造流程中至关重要，是实现先进芯片制造的瓶颈，尤其在转移精细电路图案方面。中国目前在这一领域面临挑战，限制了高端芯片的生产能力。

🌍 **全球供应链依赖与制裁影响**：最先进的光刻机，如ASML的EUV和高NA EUV扫描仪，依赖美国和欧洲的原产零部件，这使得美国政府能够限制其对华销售。中国科技公司如华为，因美国制裁无法获得先进芯片，转而依赖本土企业，但也间接受到相关限制。

⚙️ **本土企业现状与追赶挑战**：中国本土光刻设备制造商目前主要处于65纳米工艺阶段，与ASML已实现3纳米以下量产的水平存在巨大鸿沟。高盛报告指出，ASML花费了20年和巨额研发投入才达到当前水平，意味着中国企业在短期内追赶西方先进技术面临严峻挑战，需要长期且大规模的投入。

🏭 **中芯国际的生产困境**：由于无法获得EUV光刻机，中芯国际只能使用较旧的DUV设备生产7纳米芯片，成本更高且工艺受限。这凸显了光刻设备在支撑中国半导体产业发展中的核心作用，以及当前供应链限制带来的实际影响。

投资银行高盛认为，中国光刻机公司至少落后美国同行20年。光刻技术是半导体制造的几个环节之一，也是阻碍中国制造高端芯片的唯一瓶颈。最先进的光刻机由荷兰公司ASML制造，由于其依赖美国原产的零部件，美国政府有权限制其对华销售。

由于担忧与军方的关联，中国科技巨头华为因美国政府制裁，被禁止从台积电采购芯片。因此，华为不得不依赖中芯国际满足其芯片需求，而美国又对中芯国际施加制裁，限制其采购极紫外 (EUV) 芯片制造光刻机，这意味着中芯国际只能用更旧的工艺以更高成本的方式生产 7 纳米芯片。

然而，这些芯片很可能是使用 ASML 较老的 DUV 机器制造的，因为中国缺乏制造先进光刻扫描仪的能力，因为它们需要的零部件在全球范围内生产，主要在美国和欧洲。投资银行高盛的一份最新报告指出，中国国内光刻设备行业可能比 ASML 落后二十年。

图片：Ray Wang/X

光刻是芯片制造工艺中的几个步骤之一。它涉及将芯片设计从光掩模转移到硅晶圆上。高端设备，例如 ASML 的 EUV 和高数值孔径 EUV 扫描仪，能够在硅晶圆上转移更小的电路图案，从而提高芯片性能。图案转移后，会进行蚀刻，形成最终布局，并在整个制造过程中沉积其他材料并清洁晶圆。

因此，光刻技术对于在晶圆上复制精细电路至关重要，这意味着光刻设备是芯片制造过程中的瓶颈。投资银行高盛在最近的一份报告中认为，中国国内芯片制造行业至少还需要20年才能达到与ASML当前一代芯片制造技术相当的水平。

目前，台积电等领先的芯片制造商正在量产3纳米芯片，并正在加紧生产2纳米产品。高盛的报告强调：“ASML花了20年时间，投入了400亿美元的研发和资本支出，才从65纳米光刻技术过渡到3纳米以下。” 鉴于中国本土的光刻设备制造商目前处于65纳米工艺阶段，该银行的数据显示，这些公司似乎不太可能在短期内赶上西方。