一种融合DRAM内存与NAND闪存优势的新型存储技术——UltraRAM，即将迎来量产阶段的重要突破。开发企业Quinas Technology与晶圆制造商IQE合作，推动该技术向工业化方向迈进。UltraRAM兼具DRAM的高速读写特性与NAND的大容量存储优势，同时具备耐用性高、能耗低等特点，数据保存时间可达上千年。关键突破在于基于锑化镓与锑化铝材料的磊晶技术，为UltraRAM实现大规模量产提供了可能。IQE和Quinas将进一步推动试产，推动UltraRAM进入市场。

🔬 UltraRAM技术融合了DRAM的高速读写特性和NAND的大容量存储优势，同时具备高耐用性和低能耗，数据保存时间长达上千年，具有极高的稳定性。

🌐 该技术的关键突破在于采用基于锑化镓与锑化铝材料的磊晶技术，这是全球首创的工艺，为UltraRAM实现大规模量产提供了可能。

🤝 Quinas Technology与IQE合作，成功开发出可扩展的磊晶制程，标志着UltraRAM向实际生产迈出关键一步，为芯片封装与量产提供基础。

🚀 未来，Quinas与IQE将进一步与全球主要晶圆厂及相关合作伙伴探讨试产的可能性，推动UltraRAM进入市场，为下一代复合半导体材料产业化带来新机遇。

2025-08-29 13:20:46  作者：狼叫兽

一种融合DRAM内存与NAND闪存优势的新型存储技术——UltraRAM，即将迎来量产阶段的重要突破。

过去一年，UltraRAM的开发企业Quinas Technology持续与知名晶圆制造商IQE合作，共同推动该技术的制造工艺向工业化方向迈进。作为新一代存储器，UltraRAM兼具DRAM的高速读写特性与NAND的大容量存储优势，同时具备耐用性高、能耗低等特点。据称，其数据保存时间可达上千年，具有极高的稳定性。

这项技术取得重大进展的关键在于使用了基于锑化镓与锑化铝材料的磊晶技术，这项全球首创的工艺突破，为UltraRAM实现大规模量产提供了可能。磊晶技术是半导体制造中的关键步骤，它通过在基底材料上生长高质量的单晶层，为后续的芯片制造打下基础。UltraRAM的研发依赖于这一核心技术，并需进一步通过光刻、蚀刻等工艺完成内存芯片的结构构建。

IQE首席执行官Jutta Meier表示，团队已经成功开发出可扩展的磊晶制程，这标志着UltraRAM向实际生产迈出了关键一步。她指出，这一成果不仅为芯片封装与量产提供了基础，也为下一代复合半导体材料在英国的产业化带来新的机遇。

Quinas首席执行官兼联合创始人James Ashforth-Pook则强调，此次合作成果是将学术研究成果转化为商业存储产品过程中的重要转折点。

未来，Quinas与IQE将进一步与全球主要晶圆厂及相关合作伙伴探讨试产的可能性，推动UltraRAM进入市场。