SK海力士宣布其321层2TB QLC NAND闪存产品已完成开发并开始量产，这是全球首次在QLC技术下实现超过300层的NAND闪存，创下NAND密度新纪录。该产品容量翻倍，并通过增加独立操作单元（Plane）数量至6个，提升了并行处理能力和读取性能。与前代QLC产品相比，新产品数据传输速度加倍，写入性能提升56%，读取性能提升18%，写入功率效率也提高了23%，特别有利于AI数据中心。SK海力士计划首先将此技术应用于PC SSD，随后扩展至企业级SSD和智能手机UFS，并利用32DP3技术瞄准AI服务器的超大容量eSSD市场。

💡 SK海力士成功量产全球首款300层以上QLC NAND闪存：公司已完成321层2TB QLC NAND闪存的开发并启动量产，这是NAND闪存领域的一项重大突破，首次在QLC技术下实现了超过300层的堆叠，树立了NAND密度的新标杆。

🚀 容量与性能双重提升：为提升成本竞争力，SK海力士开发了容量为2Tb（256GB）的单芯片产品，是现有解决方案的两倍。同时，通过将芯片内的独立操作单元（Plane）数量从4个增加到6个，显著提升了并行处理能力和读取性能，数据传输速度翻倍，写入性能提升高达56%，读取性能提升18%。

⚡️ 优化AI数据中心能效表现：新一代QLC NAND闪存的写入功率效率提升超过23%，这对于能耗至关重要的AI数据中心具有重要意义，有助于降低运营成本并提高效率。

🎯 市场应用与未来战略：SK海力士计划首先将321层NAND应用于PC SSD，随后扩展至数据中心的企业级SSD（eSSD）和智能手机的UFS。公司还将利用其专有的32DP3技术，实现两倍的集成密度，进军AI服务器的超大容量eSSD市场，以满足AI时代爆炸式增长的需求。

💬 SK海力士旨在成为全栈AI内存供应商：公司表示，随着量产的启动，其高容量产品组合得到显著增强，成本竞争力也得到保障。SK海力士致力于成为满足AI爆炸式增长需求的“全栈AI内存供应商”，为高性能数据中心市场提供支持。

SK海力士公司今日宣布，其321层2TB QLC NAND闪存产品已完成开发，并已开始量产。此举标志着全球首次采用QLC技术实现超过300层的NAND闪存，树立了NAND密度的新标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式发布该产品。

为了最大限度地提升新产品的成本竞争力，SK海力士开发了一款2Tb的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为了解决大容量NAND闪存可能带来的性能下降问题，该公司将芯片内的独立操作单元（Plane）数量从4个增加到6个。这实现了更强大的并行处理能力，并显著提升了同时读取性能。

因此，与之前的 QLC 产品相比，321 层 QLC NAND 不仅容量更大，性能也更上一层楼。数据传输速度提升一倍，写入性能提升高达 56%，读取性能提升 18%。此外，写入功率效率提升超过 23%，增强了低功耗至关重要的 AI 数据中心的竞争力。

该公司计划首先将其 321 层 NAND 应用于 PC SSD，然后再扩展到数据中心的企业级 SSD (eSSD) 和智能手机的 UFS。SK 海力士利用其专有的 32DP3 技术，该技术可在单个封装中同时堆叠 32 个 NAND 芯片，旨在通过实现两倍的集成密度，进军 AI 服务器的超大容量 eSSD 市场。

SK海力士NAND开发负责人Jeong Woopyo表示：“随着量产的启动，我们显著增强了高容量产品组合，并确保了成本竞争力。我们将作为全栈AI内存供应商，实现重大飞跃，以满足AI需求的爆炸式增长以及数据中心市场对高性能的要求。”