中关村在线新闻中心 08月21日
台积电亚利桑那Fab 21晶圆厂第二阶段调整:3nm与2nm工艺混合布局
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台积电在亚利桑那州建设的晶圆厂第二阶段产能调整,支持3nm FinFET与2nm GAA工艺,预计2027年第二季度小规模量产。

2025-08-20 16:41:13  作者:狼叫兽

根据最新消息,来自供应链的消息显示,台积电在亚利桑那州凤凰城建设的Fab 21晶圆厂集群的第二阶段(P2)产能规划将进行调整。原本计划仅部署3nm工艺的P2厂区,现将改为同时支持3nm FinFET与2nm GAA两种工艺的混合型产线。

目前,P2厂正在进行内部洁净室建设与机电系统整合,预计将于2026年10月开始安装生产设备。整个厂区分为A、B两个区域,A区将持续推进3nm FinFET技术的制造能力;而B区则提前引入2nm GAA工艺,无需等到后续阶段的P3厂完工即可展开布局。

据称,P2厂有望于2027年第二季度建成用于技术验证的小型试点产线,并预计在同年第四季度正式进入量产阶段,这比原先预期的2028年时间表有所提前。

此外,早前建成的P1厂区,已具备5nm及4nm FinFET工艺的量产能力,并已在本年度第二季度为公司带来税后净利贡献。

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