8月19日，九峰山实验室公布，该实验室成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。 这次的突破核心在于： 1. “捅破窗户纸”式的工艺突破：这不仅仅是“我们也能做”的问题，而是“我们能做到全球最佳实践之一”。 2. 真正的“自主可控”：其价值不仅在于“国产”，更在于“全链路协同国产”。 3. 强大的“成本杀伤力”：从3英寸到6英寸，晶圆面积增大近4倍，理论上可切割的芯片数量也接近4倍。 九峰山实验室磷化铟突破 vs. 其他科技突破： 1.