6英寸磷化铟单晶片技术突破的重大意义： 云南鑫耀与九峰山实验室联合实现的6英寸磷化铟单晶片量产突破，标志着我国在化合物半导体领域迈出关键一步。这一进展的核心意义体现在以下方面： 技术自主化：首次在大尺寸磷化铟材料制备上实现从核心装备（如国产MOCVD设备）到关键材料（如衬底和外延生长工艺）的全链路国产化，解决了外延均匀性控制等世界性难题，关键性能指标（如FP激光器波长标准差<1.5nm、PIN探测器迁移率>11000cm²/V·s）达到国际领先水平。这打破了国外技术垄断，奠定了我国半导体产业链的