九峰山实验室近日在磷化铟（InP）材料领域取得重要进展，成功开发出6英寸磷化铟基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。这是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现核心装备到关键材料的国产化协同应用。此前，业界主流停留在3英寸工艺阶段，大尺寸制备的技术瓶颈和高昂成本限制了磷化铟材料在光通信、量子计算等领域的爆发式增长。九峰山实验室的突破解决了大尺寸外延均匀性控制难题，为6英寸磷化铟光芯片的规模化制备奠定了基础。此次技术突破联合国内供应链，对我国化合物半导体产业链协同发展具有重要意义，合作方云南鑫耀的6英寸高品质磷化铟单晶片产业化技术也已实现突破，即将量产。

🚀 **关键技术突破：** 九峰山实验室成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平，解决了长期以来制约该材料产业化的大尺寸制备技术瓶颈。

💡 **国产化协同应用：** 这是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用，为我国在光通信、量子计算等前沿领域的发展提供了关键材料支持。

📈 **打破成本与规模瓶颈：** 此次突破打破了业界主流停留在3英寸工艺阶段的局面，克服了大尺寸制备的技术难题和高昂成本，为满足下游产业应用的爆发式增长需求奠定了基础。

🤝 **产业链协同发展：** 九峰山实验室联合国内供应链实现了全链路突破，尤其是与云南鑫耀的合作，后者在6英寸高品质磷化铟单晶片产业化关键技术上取得突破且即将量产，这对促进我国化合物半导体产业链协同发展具有重要影响。

人民财讯8月19日电，九峰山实验室今日官微消息，九峰山实验室近日在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。这一成果也是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用。作为光通信、量子计算等领域的核心材料，磷化铟（InP）材料的产业化应用长期面临大尺寸制备的技术瓶颈，业界主流停留在3英寸工艺阶段，高昂的成本使其无法满足下游产业应用的爆发式增长。而九峰山实验室突破大尺寸外延均匀性控制难题，为实现6英寸磷化铟（InP）光芯片的规模化制备打下基础。九峰山实验室本次联合国内供应链实现全链路突破，对促进我国化合物半导体产业链协同发展有着重要影响。其中，九峰山实验室本次技术突破中6英寸磷化铟（InP）衬底合作方云南鑫耀的6英寸高品质磷化铟单晶片产业化关键技术已实现突破，量产在即。从股权结构来看，云南鑫耀为云南锗业(002428)子公司，主营半导体材料研发生产。